| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 Ge纳米材料的概述 | 第9-12页 |
| 1.1.1 Ge纳米材料的基本物性 | 第9-10页 |
| 1.1.2 Ge纳米材料的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2 材料表面和界面的非常规配位 | 第12-16页 |
| 1.2.1 材料表面的应用与研究 | 第12-14页 |
| 1.2.2 材料界面的应用与研究 | 第14-15页 |
| 1.2.3 材料表面和界面原子的非常规配位 | 第15-16页 |
| 1.3 VASP软件简介 | 第16页 |
| 1.4 本文的选题依据和主要内容 | 第16-18页 |
| 第2章 基本原理和方法 | 第18-30页 |
| 2.1 键弛豫-紧束缚(BOLS-TB)理论 | 第18-23页 |
| 2.1.1 紧束缚近似法 | 第18-20页 |
| 2.1.2 化学键-能带-势垒的关系 | 第20-21页 |
| 2.1.3 键弛豫理论(BOLS) | 第21-23页 |
| 2.2 键弛豫-光电子(BOLS-XPS)谱结合法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 X射线光电子谱(XPS) | 第23-25页 |
| 2.2.2 BOLS-XPS结合法 | 第25-27页 |
| 2.3 第一性原理计算方法 | 第27-29页 |
| 2.3.1 密度泛函理论(DFT) | 第27-28页 |
| 2.3.2 局域密度近似(LDA) | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 Ge低配位的芯能级偏移 | 第30-40页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 表面低配位的芯能级偏移的BOLS解释 | 第31-33页 |
| 3.3 Ge表面的 3d芯能级偏移 | 第33-36页 |
| 3.4 Ge表面的量子钉扎 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 Ge异配位的芯能级偏移 | 第40-48页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 界面异配位的芯能级偏移的BOLS解释 | 第40-42页 |
| 4.3 区域选择光电子谱(ZPS) | 第42-43页 |
| 4.4 Ge氧化和氢化表面的ZPS分析 | 第43-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 总结和展望 | 第48-50页 |
| 5.1 全文总结 | 第48-49页 |
| 5.2 工作展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 个人简历与在校期间发表的学术论文与研究成果 | 第56页 |
| 个人简历 | 第56页 |
| 学习经历 | 第56页 |
| 在校期间发表学术论文与科研成果 | 第56页 |