多模多频4G功率放大器设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 无线通信技术简介 | 第9页 |
| 1.2 功率放大器的发展 | 第9-12页 |
| 1.3 论文的研究工作和结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 功率放大器理论概述 | 第14-24页 |
| 2.1 功率放大器中的有源器件 | 第14-16页 |
| 2.1.1 InGaP/GaAs HBT | 第14页 |
| 2.1.2 氮化镓 | 第14-15页 |
| 2.1.3 CMOS | 第15-16页 |
| 2.2 功率放大器中无源器件 | 第16-18页 |
| 2.2.1 电容 | 第16-17页 |
| 2.2.2 电感 | 第17页 |
| 2.2.3 电阻 | 第17-18页 |
| 2.3 线性功率放大器理论 | 第18-19页 |
| 2.3.1 A类功率放大器 | 第18-19页 |
| 2.3.2 B类功率放大器 | 第19页 |
| 2.3.3 AB类功率放大器 | 第19页 |
| 2.4 多级功率放大器理论 | 第19-20页 |
| 2.5 功率放大器的主要指标 | 第20-23页 |
| 2.5.1 输出功率 | 第20-21页 |
| 2.5.2 增益 | 第21-22页 |
| 2.5.3 效率 | 第22页 |
| 2.5.4 线性度 | 第22-23页 |
| 2.6 信号调制方式与通信制式 | 第23-24页 |
| 第三章 集成功放设计中关键问题 | 第24-29页 |
| 3.1 功率放大器中的增益下降 | 第24-25页 |
| 3.2 功率放大器中的热不稳定 | 第25-26页 |
| 3.3 功率放大器的电学不稳定 | 第26-27页 |
| 3.4 功率放大器的线性化 | 第27-29页 |
| 3.4.1 功率回退技术 | 第27页 |
| 3.4.2 Doherty技术 | 第27-28页 |
| 3.4.3 预失真技术 | 第28-29页 |
| 第四章 4G功率放大器设计 | 第29-49页 |
| 4.1 设计指标 | 第29页 |
| 4.2 设计方法 | 第29-30页 |
| 4.3 功率放大器的结构 | 第30-31页 |
| 4.4 工艺及管子特性分析 | 第31-32页 |
| 4.5 功率级设计 | 第32-41页 |
| 4.5.1 功率级晶体管面积及偏置状态 | 第32-34页 |
| 4.5.2 负载阻抗仿真与计算 | 第34-36页 |
| 4.5.3 输出匹配电路设计 | 第36-38页 |
| 4.5.4 功率级偏置电路设计 | 第38-40页 |
| 4.5.5 功率级原理图仿真 | 第40-41页 |
| 4.6 第二级功率放大器设计与仿真 | 第41-43页 |
| 4.7 第一级功率放大器设计与仿真 | 第43-44页 |
| 4.8 三级功率放大器原理图仿真 | 第44-45页 |
| 4.9 ESD保护电路设计 | 第45-47页 |
| 4.10 版图设计与后仿真 | 第47-49页 |
| 第五章 功率放大器测试与结果分析 | 第49-57页 |
| 5.1 测试方案 | 第49页 |
| 5.2 PCB评估板设计 | 第49-50页 |
| 5.3 芯片的微组装 | 第50-51页 |
| 5.4 芯片散热技术 | 第51页 |
| 5.5 小信号测试 | 第51-52页 |
| 5.6 大信号测试 | 第52-55页 |
| 5.6.1 WCDMA测试 | 第53-54页 |
| 5.6.2 LTE测试 | 第54-55页 |
| 5.7 高低温测试 | 第55页 |
| 5.8 鲁棒性测试 | 第55-57页 |
| 第六章 展望与总结 | 第57-59页 |
| 6.1 研究总结 | 第57-58页 |
| 6.2 展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录 | 第64页 |
