| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 研究背景 | 第7页 |
| 1.2 研究意义 | 第7-8页 |
| 1.3 国内外研究进展 | 第8-11页 |
| 1.3.1 长脉冲激光辐照单晶硅材料的损伤研究 | 第8-9页 |
| 1.3.2 短脉冲激光辐照单晶硅材料的损伤研究 | 第9-10页 |
| 1.3.3 多脉冲激光辐照单晶硅材料的损伤研究 | 第10-11页 |
| 1.4 本论文的主要内容和安排 | 第11-13页 |
| 2 激光与半导体材料相互作用的基本理论和有限元模型 | 第13-29页 |
| 2.1 半导体材料的基本特性 | 第13页 |
| 2.2 半导体材料对激光的反射和吸收 | 第13-17页 |
| 2.2.1 光在半导体中传播的一般规律 | 第13-14页 |
| 2.2.2 激光在半导体材料中的线性吸收 | 第14-16页 |
| 2.2.3 激光在半导体材料中的非线性吸收 | 第16-17页 |
| 2.3 激光辐照过程中对半导体材料损伤的基本现象 | 第17-20页 |
| 2.3.1 激光施加给半导体材料的基本作用力 | 第17页 |
| 2.3.2 激光参数对半导体材料损伤的影响 | 第17-18页 |
| 2.3.3 材料的热物理参数及光学性质对激光损伤的影响 | 第18-19页 |
| 2.3.4 激光致半导体材料损伤的机理 | 第19-20页 |
| 2.4 温度场的数值分析 | 第20-22页 |
| 2.4.1 模型及有限元解法 | 第20-21页 |
| 2.4.2 有限元求解的步骤 | 第21-22页 |
| 2.5 应力场的数值分析 | 第22-27页 |
| 2.5.1 数值计算模型 | 第22-23页 |
| 2.5.2 有限元求解的步骤 | 第23-27页 |
| 2.6 材料参数 | 第27-28页 |
| 2.7 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 激光辐照过程中的温度场和应力场分析 | 第29-40页 |
| 3.1 温度场分析 | 第29-33页 |
| 3.1.1 单毫秒激光辐照后的温度场 | 第29-30页 |
| 3.1.2 纳秒双脉冲激光辐照后的温度场 | 第30页 |
| 3.1.3 组合脉冲激光辐照后的温度场 | 第30-33页 |
| 3.2 组合脉冲激光辐照过程的应力场分析 | 第33-39页 |
| 3.2.1 辐照中心点的应力变化 | 第33-34页 |
| 3.2.2 靶材上表面的环向应力分布 | 第34-36页 |
| 3.2.3 靶材上表面的径向应力分布 | 第36-37页 |
| 3.2.4 靶材对称轴上的径向应力分布 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 延迟时间和能量配比对组合脉冲激光作用效果的影响 | 第40-50页 |
| 4.1 延迟时间对组合脉冲激光作用效果的影响 | 第40-44页 |
| 4.1.1 毫秒激光能量对最佳延迟时间的影响 | 第42-43页 |
| 4.1.2 纳秒激光能量对最佳延迟时间的影响 | 第43-44页 |
| 4.2 能量配比对组合脉冲激光作用效果的影响 | 第44-49页 |
| 4.2.1 毫秒激光能量对激光作用效果的影响 | 第44-46页 |
| 4.2.2 纳秒激光能量对激光作用效果的影响 | 第46-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 5 总结与展望 | 第50-51页 |
| 5.1 总结 | 第50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 附录 | 第56页 |
