摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
1.1 选题背景 | 第11-18页 |
1.1.1 硅同位素特性 | 第11-12页 |
1.1.2 硅同位素参考物质 | 第12页 |
1.1.3 硅同位素分析测试研究现状 | 第12-15页 |
1.1.4 硅同位素分馏研究现状 | 第15-16页 |
1.1.5 硅同位素在地球科学中的研究进展 | 第16-18页 |
1.2 研究目的与意义 | 第18-19页 |
1.3 研究思路 | 第19页 |
1.3.1 Nu Plasma 1700型MC-ICP-MS分析硅同位素 | 第19页 |
1.3.2 研究加入Mg内标对硅同位素进行质量歧视校正的方法 | 第19页 |
1.4 特色和创新点 | 第19-20页 |
第二章 仪器与试剂 | 第20-32页 |
2.1 电感耦合等离子质谱简介 | 第20页 |
2.2 电感耦合等离子质谱(Q-ICP-MS) | 第20-23页 |
2.2.1 ICP-MS基本原理 | 第20页 |
2.2.2 ICP-MS仪器结构 | 第20-23页 |
2.2.3 ICP-MS技术进展 | 第23页 |
2.3 多接收电感耦合等离子质谱(MC-ICP-MS) | 第23-28页 |
2.3.1 基本原理及结构 | 第23-25页 |
2.3.2 仪器分辨率 | 第25-28页 |
2.4 仪器质量歧视效应 | 第28-30页 |
2.4.1 内标法 | 第29-30页 |
2.4.2 双稀释剂法 | 第30页 |
2.4.3 样品-标准交叉法 | 第30页 |
2.5 研究中使用的试剂与样品 | 第30-32页 |
2.5.1 试剂 | 第30-31页 |
2.5.2 地质标样 | 第31-32页 |
第三章 溶液进样MC-ICP-MS无内标SSB法分析硅同位素 | 第32-49页 |
3.1 引言 | 第32页 |
3.2 硅同位素样品分析前处理 | 第32-36页 |
3.2.1 样品消解 | 第32-33页 |
3.2.2 阳离子交换树脂 | 第33-34页 |
3.2.3 Si同位素纯化 | 第34-36页 |
3.3 溶液进样MC-ICP-MS无内标SSB法分析硅同位素 | 第36-48页 |
3.3.1 MC-ICP-MS参数 | 第36-40页 |
3.3.2 Si同位素样品测试方法 | 第40页 |
3.3.3 进样方式 | 第40-42页 |
3.3.4 质谱干扰 | 第42-43页 |
3.3.5 背景干扰 | 第43-44页 |
3.3.6 浓度效应 | 第44-45页 |
3.3.7 Alfa标准溶液中Si同位素组成分析 | 第45-46页 |
3.3.8 国际地质标样分析结果 | 第46-48页 |
3.4 小结 | 第48-49页 |
第四章 Mg内标结合SSB法校正分析Si同位素组成研究 | 第49-57页 |
4.1 引言 | 第49-50页 |
4.2 分析方法 | 第50-52页 |
4.3 质量漂移 | 第52-53页 |
4.4 校正方法 | 第53-55页 |
4.5 国际标准样品分析结果 | 第55-56页 |
4.6 小结 | 第56-57页 |
第五章 结论与存在问题 | 第57-59页 |
5.1 主要结论 | 第57页 |
5.2 存在问题及下一步工作 | 第57-59页 |
参考文献 | 第59-65页 |
致谢 | 第65页 |