| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第13-43页 |
| 1.1 二维材料 | 第13-17页 |
| 1.2 传感器与二维材料 | 第17-23页 |
| 1.3 二维半导体在电子、光电子领域的应用 | 第23-30页 |
| 1.4 2D-TMDs的制备 | 第30-39页 |
| 1.4.1 从顶到底 (top-down)策略 | 第30-32页 |
| 1.4.2 从底到顶（ bottom-up）策略 | 第32-39页 |
| 1.5 本文的选题设想和主要研究内容 | 第39-43页 |
| 1.5.1 选题设想 | 第39-41页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第41-43页 |
| 第2章 二维半导体空间调制及传感器 | 第43-77页 |
| 2.1 引言 | 第43-44页 |
| 2.2 合成 | 第44-49页 |
| 2.2.1 硫化钨单层及少层单晶纳米片的合成 | 第44-45页 |
| 2.2.2 硒化钨单层及少层单晶纳米片的合成 | 第45页 |
| 2.2.3 二维半导体横向异质结合成策略 | 第45-48页 |
| 2.2.4 二维半导体WS_2-WSe_2横向异质结的合成 | 第48页 |
| 2.2.5 二维半导体MoS_2-MoSe_2横向异质结的合成 | 第48-49页 |
| 2.3 硫化钨、硒化钨单层、少层单晶纳米片的分析 | 第49-56页 |
| 2.4 二维WS_2-WSe_2横向异质结分析 | 第56-63页 |
| 2.4.1 二维WS_2–WSe_2横向异质结光学显微镜和原子力显微镜分析 | 第56-57页 |
| 2.4.2 二维WS_2–WSe_2横向异质结拉曼光谱和拉曼成像研究 | 第57-58页 |
| 2.4.3 二维WS_2–WSe_2横向异质结荧光光谱和荧光成像研究 | 第58-59页 |
| 2.4.4 二维WS_2–WSe_2横向异质结透射电镜分析 | 第59-63页 |
| 2.5 二维MoS_2–MoSe_2横向异质结分析 | 第63-69页 |
| 2.5.1 二维MoS_2–MoSe_2横向异质结光学显微镜和原子力显微镜分析 | 第63-64页 |
| 2.5.2 二维MoS_2–MoSe_2横向异质结拉曼光谱和拉曼成像研究 | 第64-65页 |
| 2.5.3 二维MoS_2–MoSe_2横向异质结荧光光谱和荧光成像研究 | 第65-66页 |
| 2.5.4 二维MoS_2–MoSe_2横向异质结透射电镜分析 | 第66-69页 |
| 2.6 二维半导体横向异质结电子和光电子技术应用及传感器应用基础研究 | 第69-75页 |
| 2.6.1 二维半导体场效应晶体管基础研究及传感器的可能应用 | 第69-72页 |
| 2.6.2 二维半导体横向异质结电子效应基础研究及传感器的可能应用 | 第72-73页 |
| 2.6.3 二维半导体横向异质结光电效应基础研究及传感器的可能应用 | 第73-74页 |
| 2.6.4 二维半导体横向异质结集成电路基础研究及传感器的可能应用 | 第74-75页 |
| 2.7 结语 | 第75-77页 |
| 第3章 半导合金纳米片及传感器基础 | 第77-92页 |
| 3.1 引言 | 第77-78页 |
| 3.2 合成 | 第78-79页 |
| 3.2.1 WS_2x Se_(2?2x)合金纳米片的合成策略 | 第78页 |
| 3.2.2 WS_2x Se_(2?2x)合金纳米片的合成 | 第78-79页 |
| 3.3 二维WS_(2x)Se_(2?2x)半导体合金纳米片光学显微镜和原子力显微镜分析 | 第79-80页 |
| 3.4 二维WS_(2x)Se_(2?2x)半导体合金纳米片拉曼光谱研究 | 第80-81页 |
| 3.5 二维WS_(2x)Se_(2?2x)半导体合金纳米片荧光和荧光光谱研究及传感器应用基础研究 | 第81-84页 |
| 3.6 二维WS_(2x)Se_(2?2x)半导体合金纳米片透射电镜研究 | 第84-86页 |
| 3.6.1 二维WS_(2x)Se_(2?2x)半导体合金纳米片低分辨和高分辨透射电镜研究 | 第84-85页 |
| 3.6.2 二维WS_(2x)Se_(2?2x)半导体合金纳米片X射线能谱元素分布成像研究 | 第85页 |
| 3.6.3 二维WS_(2x)Se_(2?2x)半导体合金纳米片选区电子衍射研究 | 第85-86页 |
| 3.7 二维WS_(2x)Se_(2?2x)半导体合金纳米片电子学性能的演变及传感器应用基础 | 第86-91页 |
| 3.8 结语 | 第91-92页 |
| 第4章 二维半导体材料掺杂及传感器基础 | 第92-101页 |
| 4.1 前言 | 第92-93页 |
| 4.2 对 2D-TMDs进行掺P处理的设想与工艺 | 第93页 |
| 4.3 P掺杂 2D-TMDs进行载流子控制的原理 | 第93-94页 |
| 4.4 P掺杂二维WS_2纳米片光学显微镜和原子力显微镜研究 | 第94-95页 |
| 4.5 P掺杂二维WS_2纳米片拉曼和荧光光谱研究 | 第95-97页 |
| 4.6 P掺杂对二维WS_2纳米片电子学性能的影响及传感器应用基础研究 | 第97-100页 |
| 4.7 结语 | 第100-101页 |
| 结论与展望 | 第101-104页 |
| 参考文献 | 第104-122页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
