| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9-12页 |
| ·有机半导体存储器发展介绍 | 第9-10页 |
| ·半导体存储器的分类及性能参数 | 第10-12页 |
| ·本论文的研究意义和主要工作 | 第12-15页 |
| ·有机场效应晶体管存储器的发展现状及存在问题 | 第12-13页 |
| ·基于小分子的高性能有机场效应晶体管存储器 | 第13-15页 |
| 第二章 有机场效应晶体管存储器背景介绍 | 第15-32页 |
| ·有机场效应晶体管存储器基本介绍 | 第15-19页 |
| ·有机场效应晶体管存储器的结构 | 第15-17页 |
| ·有机场效应晶体管存储器的主要参数 | 第17-19页 |
| ·有机场效应晶体管存储器的工作原理及分类 | 第19-26页 |
| ·有机场效应晶体管存储器的工作机理 | 第19-20页 |
| ·有机场效应晶体管存储器的分类 | 第20-26页 |
| ·有机场效应晶体管存储器的材料和制备方法 | 第26-30页 |
| ·有机场效应晶体管存储器的制备材料 | 第26-28页 |
| ·基于小分子浮栅的有机场效应晶体管存储器制备方法 | 第28-30页 |
| ·OFET存储器件的表征和测试 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 小分子材料的蒸镀薄膜形貌调控 | 第32-44页 |
| ·前言 | 第32-34页 |
| ·蒸镀薄膜的生长过程概述 | 第32-33页 |
| ·固体基质上薄膜的生长模式探究 | 第33-34页 |
| ·不同蒸镀条件对薄膜形貌的影响 | 第34-37页 |
| ·沉积速率和基板温度对蒸镀薄膜形貌的影响 | 第34-35页 |
| ·衬底表面处理对蒸镀薄膜形貌的影响 | 第35-36页 |
| ·沉积后的退火处理对有机蒸镀薄膜形貌的影响 | 第36-37页 |
| ·几种小分子材料的薄膜蒸镀调控和薄膜生长特性总结 | 第37-43页 |
| ·对SFDBAO材料在不同蒸镀条件下的形貌探究 | 第37-39页 |
| ·几种不同的有机小分子材料薄膜蒸镀 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 2'.7'-DCNSFX小分子浮栅材料应用于OFET存储 | 第44-51页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·基于2'.7'-DCNSFX小分子浮栅的OFET存储器性能探究 | 第44-50页 |
| ·器件的制备和性能表征 | 第44-47页 |
| ·OFET存储器性能的优化 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 基于SFDBAO分子浮栅的非易失性多阶存储 | 第51-65页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·OFET存储器件的制备及所用材料介绍 | 第52-53页 |
| ·器件所采用材料的介绍 | 第52-53页 |
| ·器件的结构设计 | 第53页 |
| ·基于蒸镀型SFDBAO分子浮栅的OFET存储器性能 | 第53-58页 |
| ·实验方案的设计和器件的制备 | 第53-55页 |
| ·器件的薄膜形貌表征及存储特性测试 | 第55-57页 |
| ·经过优化后的蒸镀型SFDBAO分子浮栅OFET存储性能 | 第57-58页 |
| ·基于共混旋涂型SFDBAO/PS分子浮栅的OFET存储器性能 | 第58-64页 |
| ·SFDBAO和PS共混旋涂薄膜的制备 | 第58-60页 |
| ·器件的存储特性测试及薄膜的形貌表征 | 第60-62页 |
| ·优化后具有双向多阶存储的非易失性OFET存储器性能 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第69-70页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第70-71页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
