| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究背景与意义 | 第8-10页 |
| ·国内外研究现状及存在的问题 | 第10-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·问题与挑战 | 第12页 |
| ·论文的主要研究内容和架构 | 第12-14页 |
| 第二章 GaN基紫外探测器的工作原理和主要性能参数 | 第14-25页 |
| ·GaN材料的特性和制备方法 | 第14-18页 |
| ·GaN材料的基本特性 | 第14-16页 |
| ·GaN材料的制备方法 | 第16-17页 |
| ·GaN材料的表征方法 | 第17-18页 |
| ·GaN基紫外探测器的结构和原理 | 第18-22页 |
| ·光电导探测器 | 第18-19页 |
| ·p-i-n型紫外探测器 | 第19-20页 |
| ·肖特基型紫外探测器 | 第20-21页 |
| ·金属-半导体-金属型紫外探测器 | 第21-22页 |
| ·雪崩光电二极管 | 第22页 |
| ·GaN基紫外探测器的主要性能参数 | 第22-24页 |
| ·响应度及量子效率 | 第22-23页 |
| ·响应速度 | 第23页 |
| ·噪声等效功率及探测率 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 图形化蓝宝石衬底上的GaN基紫外探测器的制备 | 第25-30页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·PSS上薄p型GaN基p-i-n型紫外探测器的结构与制备 | 第25-28页 |
| ·器件结构 | 第25-26页 |
| ·器件制备 | 第26-28页 |
| ·PSS上GaN基肖特基势垒型紫外探测器的结构与制备 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 光谱响应测试系统的设计和搭建 | 第30-41页 |
| ·测试系统的搭建 | 第30-34页 |
| ·氙灯及单色仪 | 第30-31页 |
| ·数据采集器及硅探测器 | 第31-33页 |
| ·高温系统 | 第33-34页 |
| ·锁相放大器及斩波器 | 第34页 |
| ·测试系统存在的问题及解决方案 | 第34-38页 |
| ·噪声问题 | 第34-37页 |
| ·光功率问题 | 第37-38页 |
| ·光谱测试方法 | 第38-40页 |
| ·紫外探测器的测试 | 第38-39页 |
| ·LED的测试 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 图形化蓝宝石衬底上的GaN基紫外探测器的测试 | 第41-50页 |
| ·PSS上薄p型GaN基p-i-n型紫外探测器的性能测试与分析 | 第41-46页 |
| ·电流-电压特性 | 第41-43页 |
| ·光谱响应特性 | 第43-45页 |
| ·探测率 | 第45-46页 |
| ·肖特基势垒型紫外探测器的性能及其与p-i-n型探测器的比较 | 第46-49页 |
| ·GaN基肖特基势垒型紫外探测器的性能测试与分析 | 第46-48页 |
| ·肖特基势垒型与p-i-n型紫外探测器的比较 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| ·总结 | 第50页 |
| ·展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |
