| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-36页 |
| ·研究背景 | 第9-11页 |
| ·研究现状 | 第11-34页 |
| ·Ce单晶薄膜的研究现状 | 第11-15页 |
| ·U单晶薄膜研究现状 | 第15-24页 |
| ·氧化铀单晶薄膜研究现状 | 第24-29页 |
| ·U-Si研究现状 | 第29-34页 |
| ·本论文的选题依据及目的 | 第34-36页 |
| 2. 实验仪器及原理 | 第36-52页 |
| ·分子束外延系统 | 第37-43页 |
| ·分子束外延技术 | 第38-39页 |
| ·蒸发源 | 第39-40页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第40-42页 |
| ·低能电子衍射(LEED) | 第42-43页 |
| ·低温扫描隧道显微镜(LT-STM) | 第43-47页 |
| ·STM及相关原理简介 | 第43-44页 |
| ·STM工作模式 | 第44-45页 |
| ·本论文所使用的STM系统介绍 | 第45-47页 |
| ·角分辨光电子能谱仪(ARPES) | 第47-51页 |
| ·角分辨光电子能谱及相关原理简介 | 第47-50页 |
| ·本论文所使用的ARPES系统介绍 | 第50-51页 |
| ·径向传输装置(Radial Distribution Chamber) | 第51-52页 |
| 3. 金属Ce单晶薄膜的制备及电子特性的研究 | 第52-70页 |
| ·实验方法 | 第52-55页 |
| ·W(110)基底的处理 | 第52-53页 |
| ·Si(111)-7×7基底的处理 | 第53-54页 |
| ·实验条件 | 第54-55页 |
| ·W(110)基底上制备Ce单晶薄膜 | 第55-63页 |
| ·表面形貌 | 第55-58页 |
| ·表面结构 | 第58-59页 |
| ·电子结构 | 第59-62页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·Si(111)-7×7基底上沉积Ce薄膜 | 第63-70页 |
| ·少量Ce原子在Si(111)表面的扩散 | 第63-65页 |
| ·在Si(111)表面沉积较厚的薄膜 | 第65-66页 |
| ·构造Ce/CeSi_x/Si(111)多层膜结构 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第68-70页 |
| 4. 金属铀单晶薄膜的制备及电子特性的研究 | 第70-83页 |
| ·实验和计算方法 | 第70-73页 |
| ·W(110)基底的制备 | 第70-71页 |
| ·U源的除气 | 第71-72页 |
| ·实验条件 | 第72页 |
| ·理论计算模型和方法 | 第72-73页 |
| ·结果与分析 | 第73-81页 |
| ·U薄膜的RHEED图 | 第73-74页 |
| ·U薄膜的STM形貌图 | 第74-75页 |
| ·U薄膜的电子结构 | 第75-81页 |
| ·结论 | 第81-83页 |
| 5. UO_(2-x)单晶薄膜的制备和研究 | 第83-95页 |
| ·实验和计算方法 | 第83-84页 |
| ·实验条件 | 第83页 |
| ·理论计算模型和方法 | 第83-84页 |
| ·结果与分析 | 第84-94页 |
| ·结论 | 第94-95页 |
| 6. U/Si(111)表面和界面的研究 | 第95-110页 |
| ·实验和计算方法 | 第95-98页 |
| ·Si(111)-7×7表面的处理 | 第95页 |
| ·铀源的除气和铀薄膜的沉积 | 第95-96页 |
| ·实验条件 | 第96页 |
| ·理论计算模型和方法 | 第96-98页 |
| ·结果与分析 | 第98-108页 |
| ·结论 | 第108-110页 |
| 7. 结论与展望 | 第110-112页 |
| ·结论 | 第110-111页 |
| ·展望 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 论文创新点 | 第122-123页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第123-124页 |
| 攻读博士学位期间参加学术会议情况 | 第124-125页 |
| 主要符号对照表 | 第125页 |