| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·GaN 的基本特性 | 第11-12页 |
| ·GaN 的晶体结构 | 第11页 |
| ·GaN 的电学特性 | 第11-12页 |
| ·GaN 的光学特性 | 第12页 |
| ·GaN 的生长工艺 | 第12-20页 |
| ·MOCVD 生长技术 | 第13页 |
| ·MBE 生长技术 | 第13-14页 |
| ·HVPE 生长技术 | 第14-15页 |
| ·缓冲层技术 | 第15-16页 |
| ·横向外延生长技术（ELO） | 第16-18页 |
| ·柔性衬底技术（SOI） | 第18-19页 |
| ·其它外延生长技术 | 第19-20页 |
| ·GaN 材料中的杂质与缺陷 | 第20-25页 |
| ·GaN 中的原生缺陷与杂质 | 第20-24页 |
| ·GaN 中缺陷与杂质间的相互作用 | 第24-25页 |
| ·GaN 中的辐照损伤 | 第25-28页 |
| ·电子辐照损伤机理 | 第25-26页 |
| ·电子辐照诱生缺陷 | 第26-27页 |
| ·辐照损伤的热退火 | 第27-28页 |
| ·高能粒子辐照 GaN 材料的研究历史和现状 | 第28-33页 |
| ·高能粒子辐照 GaN 的电学特性研究进展 | 第28-32页 |
| ·高能粒子辐照 GaN 的光学特性研究进展 | 第32页 |
| ·高能粒子辐照 GaN 基器件的研究进展 | 第32-33页 |
| ·本文主要研究内容 | 第33-35页 |
| 第二章 实验过程及检测方法 | 第35-41页 |
| ·实验过程 | 第35-36页 |
| ·GaN 样品的准备和处理 | 第35页 |
| ·GaN 样品的电子辐照 | 第35-36页 |
| ·电子辐照 GaN 样品的快速热退火 | 第36页 |
| ·检测方法 | 第36-41页 |
| ·正电子湮灭仪(PAS) | 第36-37页 |
| ·高分辨双晶 X 射线衍射仪（HRDCXRD） | 第37-38页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第38页 |
| ·X 射线光电能谱仪(XPS) | 第38-39页 |
| ·光致发光谱(PL)仪 | 第39-40页 |
| ·霍尔效应测量仪（HALL） | 第40-41页 |
| 第三章 电子辐照 GaN 外延层中的缺陷研究 | 第41-61页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·电子辐照 GaN 外延层的晶体质量的研究 | 第41-44页 |
| ·电子辐照对 GaN 外延层晶体质量的影响 | 第41-44页 |
| ·热退火对电子辐照 GaN 外延层晶体质量的影响 | 第44页 |
| ·电子辐照 GaN 外延层中的辐照缺陷研究 | 第44-54页 |
| ·电子辐照对 GaN 外延层表面缺陷的影响 | 第44-45页 |
| ·电子辐照对 GaN 外延层中点缺陷类型的影响 | 第45-47页 |
| ·电子辐照 GaN 外延层中缺陷的腐蚀显示 | 第47-52页 |
| ·热退火对电子辐照 GaN 外延层中缺陷的影响 | 第52-54页 |
| ·电子辐照 GaN 外延层的表面化学键研究 | 第54-60页 |
| ·电子辐照对 GaN 外延层表面 Ga3d 峰的影响 | 第54-57页 |
| ·热退火对电子辐照 GaN 外延层表面 Ga3d 峰的影响 | 第57-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 电子辐照 GaN 外延层的光致发光谱研究 | 第61-78页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·实验过程 | 第62-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-76页 |
| ·辐照能量对 GaN 外延层光致发光谱的影响 | 第63-66页 |
| ·辐照剂量对 GaN 外延层光致发光谱的影响 | 第66-71页 |
| ·热退火对电子辐照 GaN 外延层光致发光谱的影响 | 第71-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 电子辐照 GaN 外延层的电学性能研究 | 第78-84页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·实验过程 | 第78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-83页 |
| ·电子辐照对 GaN 外延层电学性能的影响 | 第78-81页 |
| ·热退火对电子辐照 GaN 外延层电学性能的影响 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 结论与展望 | 第84-86页 |
| ·全文总结 | 第84-85页 |
| ·工作展望 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-93页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
