| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-27页 |
| ·InAs/(In)GaSb 超晶格的研究背景 | 第14-15页 |
| ·超晶格能带结构的理论计算方法 | 第15-20页 |
| ·半导体超晶格对称性分析 | 第20-22页 |
| ·[111]生长轴应变层超晶格 | 第22-23页 |
| ·光电子探测元件 | 第23-27页 |
| 第2章 第一性原理密度泛函理论 | 第27-42页 |
| ·概述 | 第27页 |
| ·理论 | 第27-38页 |
| ·第一性原理的基本原理 | 第27-28页 |
| ·电子之间的相互作用 | 第28-29页 |
| ·密度泛函的基本理论 | 第29-30页 |
| ·局域密度近似和广义梯度近似 | 第30-31页 |
| ·GW 近似和屏蔽交换LDA | 第31-32页 |
| ·轨道交换相关泛函 | 第32-34页 |
| ·密度泛函理论的扩展形式 | 第34-38页 |
| ·第一性原理常用软件包 | 第38-42页 |
| 第3章 InAs/InxGa1-xSb 超晶格的k·p 理论计算 | 第42-63页 |
| ·应变对超晶格组成材料能带带边的调节作用 | 第42-44页 |
| ·包络函数近似的8 带k·p 理论 | 第44-48页 |
| ·计算结果与讨论 | 第48-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格的载流子俄歇寿命与结构优化 | 第63-76页 |
| ·InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格的俄歇复合抑制和结构优化 | 第63-68页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·理论方法 | 第64-65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-68页 |
| ·窄带隙超晶格载流子俄歇寿命和碰撞电离率第一性原理计算 | 第68-75页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·理论方法 | 第69-71页 |
| ·计算结果与讨论 | 第71-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第5章 界面弛豫对InAs | 第76-89页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·理论计算方法 | 第77-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-88页 |
| ·计算方法的考查 | 第78-79页 |
| ·界面结构 | 第79-83页 |
| ·能带结构 | 第83-86页 |
| ·光吸收谱 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第6章 InAs/GaSb 超晶格低维结构的能带结构和光电特性 | 第89-140页 |
| ·InAs/GaSb 原子链超晶格 | 第89-109页 |
| ·原子链的研究背景 | 第89-92页 |
| ·计算方法与理论描述 | 第92-94页 |
| ·结果与讨论 | 第94-109页 |
| ·InAs/GaSb 纳米线超晶格 | 第109-128页 |
| ·半导体纳米线的研究背景 | 第110-112页 |
| ·计算方法与理论描述 | 第112-115页 |
| ·结果与讨论 | 第115-125页 |
| ·科学技术上的展望 | 第125-128页 |
| ·InAs、In_xGa_(1-x)Sb 纳米管和InAs/In_xGa_(1-x)Sb 纳米管超晶格 | 第128-138页 |
| ·III-V 族半导体纳米管异质结构的研究背景 | 第128-129页 |
| ·理论计算方法 | 第129页 |
| ·结果与讨论 | 第129-138页 |
| ·本章小结 | 第138-140页 |
| 第7章 InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格的器件设计与光电机制 | 第140-162页 |
| ·InAs/In_xGa_(1-x)Sb 超晶格双色红外探测器设计及光电性能模拟 | 第140-150页 |
| ·引言 | 第140-141页 |
| ·器件设计 | 第141-145页 |
| ·相关联的两个波段光电流的确定 | 第145-147页 |
| ·50°倾斜侧壁面 | 第147-148页 |
| ·光电响应模拟 | 第148-150页 |
| ·低维半导体异质结的量子相干红外发射机制理论研究 | 第150-160页 |
| ·引言 | 第150-151页 |
| ·三能级跃迁机制 | 第151-153页 |
| ·基本模型 | 第153-157页 |
| ·红外发射频率 | 第157-160页 |
| ·本章小结 | 第160-162页 |
| 结论 | 第162-164页 |
| 参考文献 | 第164-192页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第192-194页 |
| 致谢 | 第194-195页 |
| 个人简历 | 第195页 |
