| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·阻变式随机存储器研究介绍 | 第8-11页 |
| ·NiO 薄膜材料及 NiO 薄膜材料阻变式随机存储器研究现状 | 第11-15页 |
| ·本论文研究目的及科学意义 | 第15-16页 |
| 第二章 NiO:Li 薄膜 PLD 制备及物性研究 | 第16-23页 |
| ·NiO:Li 薄膜的制备 | 第16-19页 |
| ·NiO:Li 靶材的制备 | 第17-18页 |
| ·衬底的选择及其薄膜生长的过程 | 第18-19页 |
| ·PLD 生长参数对 NiO:Li 薄膜结构和晶体质量的影响 | 第19-21页 |
| ·衬底温度 | 第19-20页 |
| ·生长气氛和气体分压 | 第20-21页 |
| ·PLD 生长参数对 NiO:Li 薄膜电学性质的影响 | 第21-22页 |
| ·衬底温度的影响 | 第21-22页 |
| ·生长气氛和气体分压的影响 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 NiO:Li 薄膜阻变特性研究 | 第23-33页 |
| ·NiO:Li 薄膜的形貌及光学性质表征 | 第23-26页 |
| ·基于 Pt/NiO:Li/Pt/SiO2/Si 结构的阻变特性研究 | 第26-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 结论 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-37页 |
| 致谢 | 第37页 |
