| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·课题来源及研究的目的和意义 | 第10页 |
| ·国内外研究现状及分析 | 第10-16页 |
| ·国内外二氧化硅薄膜的制备方法 | 第10-13页 |
| ·国内外离子溅射镀膜的研究现状 | 第13-14页 |
| ·中频反应磁控溅射现状现状 | 第14-16页 |
| ·本课题主要研究的内容 | 第16-17页 |
| 第2章 溅射镀膜基础理论以及相关设备工作原理 | 第17-25页 |
| ·溅射镀膜基础理论 | 第17-20页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第17页 |
| ·溅射产额及其影响因素 | 第17-18页 |
| ·辉光放电现象 | 第18-19页 |
| ·薄膜生长机理分析 | 第19-20页 |
| ·试验制备二氧化硅存在的理论问题 | 第20-22页 |
| ·反应磁控溅射迟滞效应 | 第20页 |
| ·提高反应溅射速率的途径 | 第20-21页 |
| ·防止反应溅射不稳定的控制方法 | 第21-22页 |
| ·反应溅射中的打火与靶中毒以及解决方案 | 第22页 |
| ·JZF1000 型高真空中频反应磁控溅射设备介绍 | 第22-24页 |
| ·JZF1000 型高真空中频反应磁控溅射设备主要用途 | 第22页 |
| ·设备工作原理及特征 | 第22-23页 |
| ·设备真空技术性能指标 | 第23页 |
| ·设备基本结构形式 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 中频反应磁控溅射制备高反射率二氧化硅薄膜的实验研究 | 第25-33页 |
| ·制备二氧化硅镜片镀膜流程 | 第25-26页 |
| ·SiO_2 保护膜的工艺参数对镜面反射率的影响 | 第26-29页 |
| ·SiO_2 保护膜的厚度对镜面反射率的影响 | 第26-27页 |
| ·真空镀膜室的气压对镜面反射率的影响 | 第27-28页 |
| ·氩气和氧气流量的比例对镜面反射率的影响 | 第28-29页 |
| ·膜层均匀性测试 | 第29-30页 |
| ·制备二氧化硅时最佳工作参数的确定 | 第30-32页 |
| ·镜面镀制SiO_2 保护膜时，最佳Ar 与02 流量比确定 | 第30-31页 |
| ·镜面镀制SiO_2 保护膜时，最佳工作气压确定 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 中频反应磁控溅射制备二氧化硅薄膜的微纳力学性能研究 | 第33-42页 |
| ·薄膜微纳力学性能以及纳米压入技术概要 | 第33-34页 |
| ·纳米压痕法理论与设备以及试验方法 | 第34-37页 |
| ·纳米压痕法的理论基础 | 第34-35页 |
| ·Hysitron 纳米原位测力仪 | 第35-36页 |
| ·纳米压痕法测量二氧化硅薄膜的方法 | 第36-37页 |
| ·试验参数对实验结果的影响分析 | 第37-40页 |
| ·薄膜厚度对实验结果的影响分析 | 第37-39页 |
| ·气压对对实验结果的影响分析 | 第39-40页 |
| ·纳米划痕试验 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第5章 不同镀膜方法制膜性能的对比试验 | 第42-53页 |
| ·电子束蒸发镀膜法简述 | 第42页 |
| ·电子束蒸发镀膜试验流程 | 第42-43页 |
| ·薄膜成分分析以及对比 | 第43-45页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第43页 |
| ·电子束蒸发镀膜制备二氧化硅薄膜的XPS 分析 | 第43-44页 |
| ·中频反应磁控溅射制备二氧化硅的XPS 分析 | 第44-45页 |
| ·两种镀膜方法制备样品的反射率对比 | 第45-47页 |
| ·仪器介绍 | 第45-46页 |
| ·两种制膜方法样品的反射率对比 | 第46-47页 |
| ·两种样件的AFM 表征以及对比 | 第47-48页 |
| ·薄膜膜基结合力对比 | 第48-50页 |
| ·仪器介绍 | 第48-49页 |
| ·膜基结合力对比 | 第49-50页 |
| ·压痕试验对比 | 第50-52页 |
| ·弹性模量的对比 | 第50页 |
| ·硬度的对比 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
