| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 序 | 第9-12页 |
| 1 引言 | 第12-17页 |
| ·有机薄膜晶体管的研究进展 | 第13-14页 |
| ·有机薄膜晶体管的应用领域 | 第14-15页 |
| ·目前有机薄膜晶体管存在的问题和发展趋势 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 有机薄膜晶体管的基本知识 | 第17-27页 |
| ·有机薄膜晶体管材料 | 第17-19页 |
| ·有机场效应晶体管的半导体材料 | 第17-18页 |
| ·有机薄膜晶体管的绝缘层材料 | 第18页 |
| ·有机薄膜晶体管的电极材料 | 第18-19页 |
| ·有机薄膜晶体管的器件结构和制备方法 | 第19-22页 |
| ·有机薄膜晶体管的器件结构 | 第19-20页 |
| ·有机薄膜晶体管的制备方法 | 第20-22页 |
| ·有机薄膜晶体管的工作机理和性能参数 | 第22-27页 |
| ·场效应晶体管简介 | 第22-23页 |
| ·有机薄膜晶体管的工作机理 | 第23-25页 |
| ·表征有机薄膜晶体管器件电学性能的主要参数 | 第25-27页 |
| 3 实验方法 | 第27-32页 |
| ·材料的选取 | 第27-28页 |
| ·器件的制备 | 第28-32页 |
| ·栅极的制备及基片的清洗 | 第28页 |
| ·绝缘层的制备 | 第28-30页 |
| ·有源层和源漏电极的制备 | 第30-32页 |
| 4 有机半导体薄膜的生长 | 第32-35页 |
| ·薄膜生长过程概述 | 第32-33页 |
| ·硅基上并五苯薄膜的生长 | 第33-35页 |
| 5 无机材料为绝缘层的有机薄膜晶体管的研究 | 第35-41页 |
| ·硅基上以电子束制备的SiO_2和Si_3N_4为绝缘层的OTFT | 第35-38页 |
| ·实验部分 | 第35-36页 |
| ·结果与分析 | 第36-38页 |
| ·硅基上以磁控溅射制备的氮化硅薄膜为绝缘层的OTFT | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 6 有机材料PMMA为绝缘层的有机薄膜晶体管的研究 | 第41-51页 |
| ·ITO玻璃基片上以SiO_2和PMMA为绝缘层的OTFT | 第41-45页 |
| ·实验部分 | 第41页 |
| ·结果与分析 | 第41-45页 |
| ·场效应迁移率与工作电压关系的研究 | 第45-48页 |
| ·厚度不同的PMMA绝缘层的OTFT的研究 | 第48-50页 |
| ·实验部分 | 第48页 |
| ·结果与分析 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 7 有机无机复合绝缘层有机薄膜晶体管的研究 | 第51-55页 |
| ·实验部分 | 第51-52页 |
| ·结果与分析 | 第52-54页 |
| ·双绝缘层OTFT与以氮化硅为单绝缘层OTFT的比较 | 第52-53页 |
| ·双绝缘层OTFT与以PMMA为单绝缘层OTFT的比较 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 8 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 作者简历 | 第60-62页 |
| 学位论文数据集 | 第62页 |
