| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·LED 的基本知识 | 第9-13页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第13-15页 |
| 第二章 GaN 基高亮度二极管 | 第15-24页 |
| ·GaN 发光材料的特性 | 第15-16页 |
| ·GaN 基 LED 的生长制备 | 第16-20页 |
| ·GaN 基 LED 的器件结构 | 第20-24页 |
| 第三章 低阻 p-GaN 欧姆接触的实现 | 第24-37页 |
| ·p-GaN 欧姆接触的基本原理 | 第24-25页 |
| ·p-GaN 欧姆接触实现的问题 | 第25-27页 |
| ·改善 p-GaN 欧姆接触特性的方案和技术 | 第27-31页 |
| ·总结 | 第31-37页 |
| 第四章 p-GaN 透明电极层的实现 | 第37-47页 |
| ·Ni/Au 基 p-GaN 电极有效折射率的计算 | 第37-38页 |
| ·电极层中能流传输情况的分析 | 第38-40页 |
| ·电极耦合层的设计和仿真 | 第40-44页 |
| ·采用圆台结构膜系改善光透射 | 第44-45页 |
| ·结论 | 第45-47页 |
| 第五章 MOCVD 技术概述 | 第47-58页 |
| ·MOCVD 的概念及原理 | 第47-48页 |
| ·MOCVD 外延技术的特点 | 第48-50页 |
| ·MOCVD 的生产设备 | 第50-54页 |
| ·MOCVD 技术应用 | 第54-55页 |
| ·本实验室的 MOCVD 设备简介 | 第55-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 硕士期间完成的论文和科研项目 | 第60-61页 |