| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-28页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·ZnO薄膜的结构特性 | 第8-9页 |
| ·ZnO薄膜的光电特性 | 第9-11页 |
| ·ZnO薄膜的发光机理 | 第11-12页 |
| ·绿光的发光机制 | 第12页 |
| ·其他光的发光机制 | 第12页 |
| ·ZnO薄膜的研究现状 | 第12-15页 |
| ·ZnO的掺杂特性和PN 结的制作 | 第14页 |
| ·缺陷行为和载流子输运特性的研究 | 第14-15页 |
| ·利用ZnO制作紫外半导体激光器 | 第15页 |
| ·高质量ZnO薄膜的生长和现有器件的改进 | 第15页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第15-22页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第16页 |
| ·金属有机物汽相外延(MOCVD) | 第16-17页 |
| ·锌膜氧化法 | 第17页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第17-22页 |
| ·PLD(Pulsed Laser Deposition)技术发展历史 | 第18-19页 |
| ·PLD技术的基本原理及物理过程 | 第19-21页 |
| ·PLD技术的特点 | 第21-22页 |
| ·ZnO薄膜的应用前景 | 第22-25页 |
| ·制作紫外光探测器 | 第23页 |
| ·可与GaN互作缓冲层 | 第23-24页 |
| ·用于光电器件的单片集成 | 第24页 |
| ·制作表面声波器件 | 第24-25页 |
| ·本文研究背景及内容 | 第25-28页 |
| ·选题意义 | 第25-27页 |
| ·研究内容 | 第27-28页 |
| 第二章 实验方法及工艺研究 | 第28-35页 |
| ·实验材料 | 第28-29页 |
| ·实验设备 | 第29页 |
| ·实验方案 | 第29-31页 |
| ·采用锌铝合金靶，以石英玻璃为基体制备ZnO:Al薄膜 | 第30页 |
| ·在有机基体(polycarbonate substrate)上沉积ZnO:Al薄膜 | 第30-31页 |
| ·微观组织、结构特性和发光性能的表征 | 第31页 |
| ·工艺性研究 | 第31-35页 |
| 第三章 玻璃基体上沉积ZnO:Al薄膜的性能研究 | 第35-64页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·Al含量对ZnO:Al薄膜组织结构及光电性能的影响 | 第36-51页 |
| ·Al含量对ZnO:Al薄膜结构（XRD）的影响 | 第36-44页 |
| ·Al含量对ZnO:Al薄膜发光性能的影响 | 第44-47页 |
| ·Al含量对ZnO:Al薄膜电学性能的影响 | 第47-50页 |
| ·Al含量对ZnO:Al薄膜透光性能的影响 | 第50-51页 |
| ·基体温度对ZnO:Al(2.0wt.%Al)薄膜性能的影响 | 第51-56页 |
| ·基体温度对ZnO:Al(2.0wt.%Al)薄膜结构和透光率的影响 | 第51-54页 |
| ·基体温度对ZnO:Al(2.0wt.%Al)薄膜发光性能的影响 | 第54-56页 |
| ·室温下制备ZnO：Al薄膜的组织及性能 | 第56-62页 |
| ·室温下PLD激光能量密度对ZnO:Al薄膜结构的影响 | 第56-58页 |
| ·室温下PLD激光能量密度对ZnO:Al薄膜可见光透光率的影响 | 第58-60页 |
| ·室温下PLD激光能量密度对ZnO:Al薄膜PL谱的影响 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 有机基体上沉积ZnO:Al薄膜的性能研究 | 第64-72页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·沉积条件对ZnO:Al薄膜结构特性的影响 | 第65-69页 |
| ·氧气压力对ZnO:Al薄膜结构特性的影响 | 第65-67页 |
| ·基体温度对ZnO:Al薄膜结构特性的影响 | 第67-69页 |
| ·有机基体上沉积ZnO:Al薄膜的发光性能 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 摘要 | 第79-82页 |
| Abstract | 第82-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 导师及作者简介 | 第86页 |
