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光学声子对AlN/GaN量子阱中电子迁移率的影响

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 引言第8-11页
   ·国内外研究概况第8-10页
   ·本文研究内容第10-11页
第二章 理论模型第11-21页
   ·有限深量子阱中的束缚电子态第11-12页
   ·纤锌矿量子阱结构中的声子第12-15页
   ·闪锌矿量子阱结构中的声子第15-16页
   ·准二维系统中的雷-丁平衡方程第16-19页
   ·准二维系统中声子限制的电子迁移率第19-21页
第三章 量子阱中电子迁移率的数值计算和结果讨论第21-30页
   ·闪锌矿及纤锌矿型GaN/A1N量子阱中的电子迁移率第21-29页
   ·结论第29-30页
参考文献第30-34页
致谢第34-35页
攻读硕士学位期间发表及完成的论文第35页

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