| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·课题研究意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-20页 |
| ·纳机电器件研究现状 | 第11-14页 |
| ·GaAs 微器件发展概况 | 第14-16页 |
| ·微声传感器研究现状 | 第16-20页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 GaAs 基RTS 介观压阻效应理论及结构设计 | 第21-32页 |
| ·介观压阻效应 | 第21-27页 |
| ·介观压阻效应基础理论 | 第21-24页 |
| ·RTS 的介观压阻效应及其优点 | 第24-27页 |
| ·RTS 的结构设计 | 第27-32页 |
| 第三章 GaAs 基共振隧穿压阻式声传感器的结构设计 | 第32-49页 |
| ·结构设计方法 | 第32-33页 |
| ·声传感器的结构类型选择 | 第33-35页 |
| ·常用的压阻式声传感器的结构 | 第33-34页 |
| ·GaAs 基声传感器的结构方案确定 | 第34-35页 |
| ·声传感器结构设计 | 第35-49页 |
| ·声传感器的力学特性 | 第35-37页 |
| ·声传感器的频率特性 | 第37-43页 |
| ·设计考虑及参数确定 | 第43-44页 |
| ·声传感器的仿真分析 | 第44-48页 |
| ·理论分析与仿真分析对比 | 第48-49页 |
| 第四章 GaAs 基共振隧穿压阻式声传感器的工艺加工 | 第49-75页 |
| ·工艺设计 | 第49-68页 |
| ·加工所需关键工艺 | 第49-66页 |
| ·工艺流程 | 第66-68页 |
| ·版图设计及说明 | 第68-72页 |
| ·声传感器加工后的参数测试 | 第72-75页 |
| ·声传感器的电镜照片 | 第72-73页 |
| ·参数测试 | 第73-75页 |
| 第五章 GaAs 基共振隧穿压阻式声传感器的封装与测试 | 第75-82页 |
| ·传感器的封装 | 第75-76页 |
| ·传感器测试 | 第76-82页 |
| ·测试理论 | 第76-78页 |
| ·测试方法 | 第78-79页 |
| ·测试结果及分析 | 第79-82页 |
| 总结和展望 | 第82-84页 |
| 总结 | 第82-83页 |
| 展望 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-90页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
