| 摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-25页 |
| ·α- 和β- Si_3N_4 | 第11-13页 |
| ·尖晶石结构γ-Si_3N_4 （c-Si_3N_4） | 第13-19页 |
| ·DAC 合成γ-Si_3N_4 | 第13-14页 |
| ·命名 | 第14页 |
| ·结构 | 第14-15页 |
| ·MAP（Multi-anvil-press）实验合成γ-Si_3N_4 | 第15-16页 |
| ·冲击波合成γ-Si_3N_4 | 第16-17页 |
| ·尖晶石γ- Si_3N_4 的性质 | 第17-19页 |
| ·非晶SiNx | 第19-20页 |
| ·后尖晶石(post-spinel nitrides) | 第20页 |
| ·硅的亚氮化物和超晶氮化物 | 第20-21页 |
| ·计算材料学与材料设计 | 第21-24页 |
| ·材料设计概述 | 第21页 |
| ·材料设计发展概况 | 第21-22页 |
| ·材料设计中的计算机模拟 | 第22-24页 |
| ·本课题研究的目的与研究意义 | 第24-25页 |
| 第二章 基础理论与计算方法 | 第25-50页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似 | 第25-27页 |
| ·Hartree-Fock 近似 | 第27-28页 |
| ·密度泛函理论简介[90-95] | 第28-33页 |
| ·Hobenberg-Kohn 定理 | 第28-31页 |
| ·Kohn-Sham(沈吕九)方程 | 第31-33页 |
| ·局域密度近似和广义梯度修正近似 | 第33-37页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation, LDA) | 第33-35页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GGA) | 第35-37页 |
| ·能带电子的平面波基底展开 | 第37-39页 |
| ·赝势方法 | 第39-43页 |
| ·模守恒赝势 | 第40-43页 |
| ·超软赝势 | 第43页 |
| ·自洽运算和结构优化 | 第43-47页 |
| ·自洽运算 | 第43-44页 |
| ·结构优化 | 第44-46页 |
| ·k 空间取样规则 | 第46-47页 |
| ·快速傅立叶变换（FFT） | 第47页 |
| ·CASTEP 软件模拟方法 | 第47-48页 |
| ·物理量的含义 | 第48-49页 |
| ·能带结构 | 第48页 |
| ·态密度 | 第48-49页 |
| ·Mulliken 布居数分析 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 γ-Si_3N_4电子结构及性质的理论计算 | 第50-63页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第50-51页 |
| ·原胞结构优化结果 | 第51-53页 |
| ·能带结构分析 | 第53-54页 |
| ·电子结构分析 | 第54-56页 |
| ·光学性质分析 | 第56-57页 |
| ·力学性质分析 | 第57-61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 第四章 γ- Si_3N_4在高压下的电子结构和物理性质研究 | 第63-73页 |
| ·计算模型和方法 | 第63页 |
| ·流体静压力下的结构优化 | 第63-65页 |
| ·电子分布与布居分析 | 第65-66页 |
| ·态密度分析 | 第66-68页 |
| ·光学性质分析 | 第68-71页 |
| ·反射光谱 | 第68页 |
| ·吸收光谱 | 第68-69页 |
| ·复介电函数 | 第69-70页 |
| ·反射系数和消光系数 | 第70-71页 |
| ·力学性质分析 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第五章 掺La 的立方Si_3N_4的电子结构和光学性质研究 | 第73-82页 |
| ·概述 | 第73-74页 |
| ·计算模型和方法 | 第74-76页 |
| ·模型优化结果 | 第76-77页 |
| ·能带结构分析 | 第77-78页 |
| ·态密度分析 | 第78-80页 |
| ·光学性质分析 | 第80-81页 |
| ·结语 | 第81-82页 |
| 第六章 总结与展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-93页 |
| 附录 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
