ECR-CVD制备a-SixN:H薄膜及其发光性能的研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 引言 | 第7-12页 |
·硅基发光材料研究的背景及意义 | 第7-8页 |
·硅基发光材料研究的历史 | 第8-10页 |
·本论文的研究思路和主要内容 | 第10-12页 |
第二章 实验 | 第12-18页 |
·ECR等离子体的基本原理 | 第12-14页 |
·实验装置 | 第14-15页 |
·基片的清洗 | 第15-16页 |
·薄膜的沉积 | 第16页 |
·电致发光器件的制作 | 第16-18页 |
第三章 薄膜的表征 | 第18-30页 |
·膜厚测量 | 第18-19页 |
·发射光谱 | 第19-22页 |
·红外透射光谱 | 第22-23页 |
·X射线光电子能谱 | 第23-25页 |
·紫外可见光谱分析(UV) | 第25-27页 |
·固体的发光 | 第27-30页 |
第四章 薄膜生长及其发光性能的研究 | 第30-41页 |
·薄膜的生长 | 第30-37页 |
·前驱等离子体的发射光谱 | 第30-31页 |
·薄膜的生长速率 | 第31-32页 |
·薄膜的红外透射光谱 | 第32-36页 |
·薄膜的X射线光电子能谱 | 第36-37页 |
·小结 | 第37页 |
·薄膜的光电性质 | 第37-41页 |
·光致发光 | 第37-38页 |
·电致发光 | 第38-40页 |
·发光机理 | 第40-41页 |
第五章 结语 | 第41-42页 |
参考文献 | 第42-44页 |
硕士期间发表的论文 | 第44-45页 |
致谢 | 第45-46页 |
中文详细摘要 | 第46-48页 |