基于MEMS技术制作的硅纳米线及其性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第6-33页 |
| ·纳米技术综述 | 第6-14页 |
| ·纳米技术的定义 | 第6-7页 |
| ·世界各国对纳米技术的重视 | 第7-8页 |
| ·纳米技术四大热门研究领域 | 第8-14页 |
| ·硅纳米线的研究现状 | 第14-22页 |
| ·基于硅纳米线的逻辑电路单元 | 第14-16页 |
| ·基于硅纳米线的量子器件 | 第16-19页 |
| ·基于硅纳米线的生化传感器 | 第19-22页 |
| ·硅纳米线的制造方法 | 第22-31页 |
| ·自下而上的硅纳米线制造工艺 | 第22-24页 |
| ·自上而下的硅纳米线制造工艺 | 第24-30页 |
| ·混合型硅纳米线制造工艺 | 第30-31页 |
| ·本论文的工作 | 第31-33页 |
| ·本论文工作的意义 | 第31页 |
| ·本论文的创新点 | 第31页 |
| ·本论文各章内容 | 第31-33页 |
| 第2章 纳米制造技术的基础工艺 | 第33-50页 |
| ·氧化工艺 | 第33-39页 |
| ·应力对纳米线氧化速率的影响 | 第33-37页 |
| ·局部氧化工艺(LOCOS) | 第37-39页 |
| ·纳米结构的湿法腐蚀 | 第39-45页 |
| ·各向异性腐蚀原理 | 第39-43页 |
| ·纳米间隙的各向同性腐蚀 | 第43-45页 |
| ·纳米结构的干法刻蚀 | 第45-49页 |
| ·ICP原理 | 第46-48页 |
| ·无切换 ICP刻蚀技术 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第3章 纳米线的制作 | 第50-68页 |
| ·材料的选取 | 第50-53页 |
| ·制作流程 | 第53-57页 |
| ·掺杂 | 第53-55页 |
| ·纳米线结构制作 | 第55-56页 |
| ·版图设计 | 第56-57页 |
| ·工艺问题及解决 | 第57-60页 |
| ·工艺问题的发现 | 第57-59页 |
| ·HF腐蚀时间的控制 | 第59-60页 |
| ·制作结果 | 第60-64页 |
| ·工艺过程中的形貌 | 第60页 |
| ·硅纳米线的结构形貌 | 第60-62页 |
| ·基于硅纳米线的 MOSFET | 第62页 |
| ·纳米线的均一性 | 第62-63页 |
| ·挑战纳米线尺寸的极限 | 第63-64页 |
| ·流程的改进 | 第64-67页 |
| ·结构制作 | 第64-65页 |
| ·整体流程 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第4章 纳米线的电学特性及应用 | 第68-81页 |
| ·氧化层保护下的纳米线的电特性 | 第68-70页 |
| ·电阻温度特性 | 第70-71页 |
| ·暴露在空气中纳米线的电学性质 | 第71-75页 |
| ·纳米线释放前后电学性质的变化 | 第72-73页 |
| ·暴露在空气中的纳米线特性 | 第73-75页 |
| ·纳米线的转移特性 | 第75-79页 |
| ·纳米线的光伏特性 | 第79-80页 |
| ·小结 | 第80-81页 |
| 第5章 纳机械与纳谐振器 | 第81-94页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·纳米谐振器的设计 | 第82-84页 |
| ·纳米谐振器的结构参数 | 第82页 |
| ·纳米谐振器的谐振频率 | 第82-84页 |
| ·纳米谐振器的激励与检测 | 第84-87页 |
| ·洛仑兹力激励与电动势检测法 | 第84-86页 |
| ·静电力激励与 FET检测法 | 第86-87页 |
| ·纳米谐振器的噪声与 Q值分析 | 第87-92页 |
| ·纳米谐振器的噪声分析 | 第87-90页 |
| ·纳米谐振器的 Q值分析 | 第90-92页 |
| ·NEMS谐振器面临的挑战 | 第92-94页 |
| 第6章 总结与展望 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-104页 |
| 附录 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 附件一 | 第107页 |
