| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| ·前言 | 第7-9页 |
| ·化学气相沉积 | 第9-12页 |
| ·化学气相沉积原理 | 第9-10页 |
| ·化学气相沉积方法分类 | 第10-11页 |
| ·化学气相沉积方法的优缺点 | 第11-12页 |
| ·自组装单分子膜 | 第12-15页 |
| ·自组装单分子膜简介 | 第12-14页 |
| ·自组装单分子膜做为扩散阻挡层 | 第14-15页 |
| ·利用蒙特卡罗方法进行计算机模拟 | 第15-19页 |
| ·蒙特卡罗方法 | 第15-16页 |
| ·动力学晶格蒙特卡罗原理 | 第16-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 硅基材上化学气相沉积铜薄膜 | 第21-36页 |
| ·前言 | 第21-22页 |
| ·实验准备 | 第22-25页 |
| ·实验药品与材料 | 第22-23页 |
| ·实验仪器 | 第23-24页 |
| ·分析仪器 | 第24-25页 |
| ·实验步骤 | 第25-27页 |
| ·基本实验步骤 | 第25页 |
| ·氢气退火 | 第25页 |
| ·氮气退火 | 第25-26页 |
| ·氮气稀释 | 第26-27页 |
| ·实验结果与讨论 | 第27-33页 |
| ·对铜薄膜抗电迁移性能的影响 | 第27-30页 |
| ·对铜薄膜表面形貌的影响 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 自组装单分子膜改性硅基材上化学气相沉积铜薄膜 | 第36-50页 |
| ·前言 | 第36-38页 |
| ·实验准备 | 第38-40页 |
| ·实验药品与材料 | 第38-39页 |
| ·实验仪器 | 第39页 |
| ·分析仪器 | 第39-40页 |
| ·实验步骤 | 第40-41页 |
| ·自组装单分子膜的成长 | 第40页 |
| ·铜薄膜的成长 | 第40-41页 |
| ·实验结果与讨论 | 第41-47页 |
| ·自组装单分子膜的成长 | 第41-43页 |
| ·自组装单分子膜上铜薄膜的成长 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 利用动力学晶格蒙特卡罗方法进行化学气相沉积铜薄膜的计算机模拟 | 第50-70页 |
| ·前言 | 第50-52页 |
| ·模型的构建 | 第52-58页 |
| ·化学气相沉积过程／事件的分类 | 第52-54页 |
| ·分子吸附过程 | 第54-55页 |
| ·分子操作过程 | 第55-57页 |
| ·原子扩散过程 | 第57页 |
| ·薄膜性质的计算 | 第57-58页 |
| ·模型的验证 | 第58-63页 |
| ·薄膜性质计算的验证 | 第58-61页 |
| ·模型边界条件的验证 | 第61-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-68页 |
| ·活性位点比例对粗糙度的影响 | 第64-65页 |
| ·反应温度对粗糙度的影响 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 硕士期间发表论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |