X波段接收前端某些器件的设计与研究
| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| ·课题背景及其意义 | 第9页 |
| ·国内外动态 | 第9-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 接收机 | 第12-18页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·接收机简介 | 第12-13页 |
| ·常见的接收机方案 | 第13-17页 |
| ·本接收机方案选择 | 第17-18页 |
| 第三章 低噪声放大器 | 第18-34页 |
| ·HEMT 低噪声放大器 | 第18页 |
| ·高电子迁移率晶体管(HEMT) | 第18-20页 |
| ·低噪声放大器的设计理论 | 第20-21页 |
| ·放大器的主要技术指标 | 第21-26页 |
| ·实际工作增益G_P | 第21-22页 |
| ·转换功率增益G_T | 第22页 |
| ·资用功率增益G_a | 第22页 |
| ·噪声系数 | 第22-23页 |
| ·动态范围 | 第23页 |
| ·增益平坦度 | 第23-24页 |
| ·工作频带 | 第24页 |
| ·端口驻波比和反射损耗 | 第24-25页 |
| ·稳定性 | 第25-26页 |
| ·低噪声放大器的基本电路 | 第26-29页 |
| ·输入匹配电路 | 第26-28页 |
| ·级间匹配电路 | 第28页 |
| ·输出匹配电路 | 第28-29页 |
| ·X 波段低噪声放大器的仿真 | 第29-32页 |
| ·设计指标要求 | 第30页 |
| ·晶体管的选择 | 第30-31页 |
| ·ADS 仿真数据 | 第31-32页 |
| ·低噪声放大器的加工和测试 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 混频器 | 第34-51页 |
| ·混频器的原理及技术指标 | 第34-36页 |
| ·肖特基势垒二极管的结构及等效电路 | 第34-35页 |
| ·二极管的等效电路 | 第35-36页 |
| ·微波混频器的技术指标 | 第36-43页 |
| ·噪声系数 | 第36-37页 |
| ·变频损耗 | 第37-39页 |
| ·动态范围 | 第39页 |
| ·双频三阶交调与线性度 | 第39-41页 |
| ·工作频率 | 第41页 |
| ·隔离度 | 第41-42页 |
| ·镜频抑制度 | 第42页 |
| ·本振功率与工作点 | 第42页 |
| ·端口驻波比 | 第42-43页 |
| ·中频输出阻抗 | 第43页 |
| ·二极管微波混频器 | 第43-44页 |
| ·单端混频器 | 第43页 |
| ·单平衡混频器 | 第43页 |
| ·双平衡混频器 | 第43-44页 |
| ·X 波段混频器的 ADS 仿真 | 第44-48页 |
| ·混频器的技术指标 | 第44页 |
| ·混频管的选择 | 第44-45页 |
| ·混频器电路 | 第45-48页 |
| ·混频器的加工及测试 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 开关 | 第51-60页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·PIN 管的结构及等效电路 | 第51-54页 |
| ·PIN 管电阻的变化 | 第51-52页 |
| ·PIN 管的等效电路 | 第52-54页 |
| ·微波开关主要技术指标 | 第54-56页 |
| ·截止频率f c | 第54页 |
| ·插入损耗和隔离度 | 第54-55页 |
| ·开关速率 | 第55页 |
| ·功率容量 | 第55-56页 |
| ·1dB 功率压缩点 | 第56页 |
| ·PIN 开关的基本电路 | 第56-57页 |
| ·单刀单掷开关(微波调制器) | 第56-57页 |
| ·单刀双掷开关(微波换接器) | 第57页 |
| ·单刀双掷开关的设计 | 第57-59页 |
| ·主要技术指标 | 第57-58页 |
| ·方案选择 | 第58页 |
| ·ADS 仿真和优化设计 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结束语 | 第60-61页 |
| ·工作总结 | 第60页 |
| ·后续工作 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 个人简历 | 第65页 |
| 在校期间发表的学术论文 | 第65页 |
