| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| §1．1 前言 | 第11页 |
| §1．2 研究背景 | 第11-17页 |
| 1．2．1 高温发动机燃烧室用喷管材料的发展现状 | 第12-16页 |
| 1．2．2 铱性能概述及材料制备方法 | 第16-17页 |
| §1．3 MOCVD技术概论 | 第17-23页 |
| 1．3．1 MOCVD工艺原理及特点 | 第17-20页 |
| 1．3．2 MOCVD技术现状及展望 | 第20-23页 |
| §1．4 MOCVD法制备金属铱膜的研究现状 | 第23-26页 |
| 1．4．1 MOCVD方法制备金属铱膜层基本原理及装置 | 第23-24页 |
| 1．4．2 MOCVD法制备金属铱膜的发展现状及展望 | 第24-26页 |
| §1．5 研究的内容、目的及意义 | 第26-28页 |
| 1．5．1 研究内容 | 第26页 |
| 1．5．2 研究目的及意义 | 第26-28页 |
| 第二章 实验部分 | 第28-44页 |
| §2．1 实验方法和技术路线 | 第28页 |
| §2．2 沉积源升华实验 | 第28-31页 |
| 2．2．1 沉积源乙酰丙酮铱简介 | 第28-30页 |
| 2．2．2 实验设计 | 第30页 |
| 2．3．3 实验设备及原材料 | 第30页 |
| 2．3．4 实验过程 | 第30-31页 |
| §2．3 MOCVD系统设计、组装及调试 | 第31-37页 |
| 2．3．1 MOCVD沉积铱系统 | 第31-34页 |
| 2．3．2 实验装置操作流程 | 第34-37页 |
| §2．4 MOCVD法制备金属铱膜 | 第37-40页 |
| 2．4．1 实验原理 | 第37页 |
| 2．4．2 实验原料及设备 | 第37-38页 |
| 2．4．3 实验方法和工艺参数 | 第38-40页 |
| §2．5 铱膜层的表征方法 | 第40-43页 |
| 2．5．1 膜层显微组织结构观察 | 第40-41页 |
| 2．5．2 膜层成分分析 | 第41页 |
| 2．5．3 膜层物相分析 | 第41页 |
| 2．5．4 膜层厚度分析 | 第41-43页 |
| §2．6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 沉积源升华过程研究 | 第44-51页 |
| §3．1 升华速率的测定 | 第44-46页 |
| §3．2 乙酰丙酮铱升华速率与温度的对应关系 | 第46-48页 |
| 3．2．1 乙酰丙酮铱升华速率与温度的对应关系 | 第46-47页 |
| 3．2．2 有效表面积对乙酰丙酮铱升华速率的影响 | 第47页 |
| 3．2．3 乙酰丙酮铱升华速率与载气流量的对应关系 | 第47-48页 |
| §3．3 乙酰丙酮铜升华速率与温度的对应关系 | 第48-49页 |
| §3．4 沉积源温度的选取 | 第49页 |
| §3．5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 MOCVD法制备金属铱膜的工艺、结构及成分分析 | 第51-70页 |
| §4．1 前言 | 第51页 |
| §4．2 沉积温度对铱膜层的影响 | 第51-55页 |
| 4．2．1 沉积温度对铱膜层沉积速率的影响 | 第51-53页 |
| 4．2．2 沉积温度对铱膜层表面微观形貌的影响 | 第53-54页 |
| 4．2．3 沉积温度对铱膜层纯度的影响 | 第54-55页 |
| §4．3 真空度对铱膜层的影响 | 第55-57页 |
| 4．3．1 真空度对铱膜层沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| 4．3．2 真空度对铱膜层表面微观形貌的影响 | 第56页 |
| 4．3．3 真空度对铱膜层纯度的影响 | 第56-57页 |
| §4．4 氧气对铱膜层的影响 | 第57-60页 |
| 4．4．1 氧气对铱膜层沉积速率的影响 | 第57-58页 |
| 4．4．2 氧气对铱膜层表面微观形貌的影响 | 第58-59页 |
| 4．4．3 氧气对铱膜层纯度的影响 | 第59-60页 |
| §4．5 放样位置对铱膜层的影响 | 第60-64页 |
| 4．5．1 基体位置的确定 | 第60-61页 |
| 4．5．2 放样位置对铱膜层沉积速率的影响 | 第61-62页 |
| 4．5．3 放样位置对铱膜层表面微观形貌的比较 | 第62页 |
| 4．5．4 放样位置对铱膜层纯度的影响 | 第62-64页 |
| §4．6 保温处理对铱膜层的影响 | 第64-65页 |
| 4．6．1 保温处理对铱膜层表面微观形貌的影响 | 第64-65页 |
| 4．6．2 保温处理对铱膜层界面形貌的影响 | 第65页 |
| 4．6．3 保温处理对铱膜层纯度的影响 | 第65页 |
| §4．7 铱膜层成分分析 | 第65-66页 |
| §4．8 铱膜层物相结构分析 | 第66-68页 |
| §4．9 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 MOCVD沉积铱膜层的沉积机理分析 | 第70-78页 |
| §5．1 MOCVD沉积铱膜层的过程 | 第70页 |
| §5．2 MOCVD沉积铱膜层的机理 | 第70-73页 |
| 5．2．1 MOCVD沉积铱膜层中乙酰丙酮铱的分解反应机理 | 第70-71页 |
| 5．2．2 MOCVD沉积铱膜层的热力学和动力学分析 | 第71-73页 |
| §5．3 晶体生长分析 | 第73-75页 |
| §5．4 膜层生长机制 | 第75-77页 |
| §5．5 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第83页 |
