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纳米硅材料的制备工艺研究及微观结构表征

摘要第1-10页
ABSTRACT第10-13页
第一章 绪论第13-31页
 1.1 研究背景第13-14页
 1.2 硅纳米材料的制备方法研究进展第14-24页
  1.2.1 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法第15-17页
  1.2.2 热丝化学气相沉积(HFCVD)法第17页
  1.2.3 激光烧蚀沉积(LCVD)法第17-19页
  1.2.4 激光诱导化学气相沉积(LICVD)第19-20页
  1.2.5 简单物理蒸发法第20页
  1.2.6 高温激光蒸发法第20-22页
  1.2.7 非晶晶化法第22-23页
  1.2.8 自组织生长第23页
  1.2.9 高剂量Si离子注入第23-24页
 1.3 纳米硅的微结构特征研究第24-27页
  1.3.1 纳米硅薄膜的微结构第24-25页
  1.3.2 硅纳米线的微结构第25-27页
 1.4 纳米硅的发光特性研究第27-29页
 1.5 本课题的提出及主要研究内容第29-31页
  1.5.1 课题的提出第29页
  1.5.2 课题的主要研究内容第29-31页
   1.5.2.1 LICVD纳米硅粉制备设备的设计及制作第29-30页
   1.5.2.2 LICVD纳米硅粉制备工艺的研究第30页
   1.5.2.3 LICVD纳米硅粉微结构的表征第30-31页
第二章 LICVD法纳米硅制备设备的设计第31-41页
 2.0 前言第31-33页
 2.1 反应室第33-38页
  2.1.1 光路系统第34-36页
  2.1.2 气体喷嘴第36-38页
  2.1.3 颗粒收集器第38页
 2.2 激光器第38-39页
 2.3 供气系统第39页
 2.4 其它系统及有关参数第39-41页
第三章 实验内容与方法第41-46页
 3.0 引言第41页
 3.1 研究的技术路线第41-42页
 3.2 实验参数第42-43页
 3.3 粉体制备过程第43-44页
 3.4 纳米粉体的微结构表征第44-45页
 3.5 纳米粉体红外光谱测试第45-46页
第四章 LICVD法的气体分解机制及纳米硅制备工艺的研究第46-63页
 4.0 前言第46页
 4.1 激光能量吸收的微观机制第46-47页
 4.2 激光能量阂值的研究第47-50页
  4.2.1 反应气体组成中的SiH_4含量对激光能量闭值影响第47-49页
  4.2.2 不同反应气体流量条件下的能量阈值第49-50页
 4.3 不同反应气体流量条件下纳米硅的微结构第50-53页
 4.4 激光能量密度对纳米硅粉体微结构的影响第53-55页
 4.5 同轴保护气体流量对反应焰形状的影响研究第55-59页
 4.6 反应气体中SiH_4含量对纳米硅微结构的影响研究第59-62页
 4.7 最佳工艺参数的选择第62-63页
第五章 纳米硅的成核及生长的热力学和动力学研究第63-78页
 5.0 前言第63页
 5.1 SiH_4激光气相热解热力学驱动力第63-66页
 5.2 纳米硅气相成核和生长的动力学分析第66-78页
  5.2.1 气相成核率研究第66-67页
  5.2.2 纳米晶生长机制研究第67-73页
  5.2.3 纳米晶粒生长的择优取向研究第73-78页
第六章 LICVD法纳米硅粉的微结构特征研究第78-89页
 6.0 前言第78页
 6.1 纳米硅颗粒形貌、成分及晶型研究第78-82页
 6.2 纳米硅颗粒之间的相互作用第82-84页
 6.3 纳米硅颗粒的微结构研究第84-89页
  6.3.1 纳米颗粒中的微孪晶及层错第84-86页
  6.3.2 退火热处理对纳米硅微结构的影响研究第86-89页
结论第89-91页
本研究的主要创新点及有待深入研究的问题第91-92页
参考文献第92-99页
攻读博士学位期间发表的学术论文及取得的成果第99-103页
致谢第103-104页
学位论文评阅及答辩情况表第104页

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