| 致谢 | 第1-3页 |
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章：绪论 | 第11-20页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章：t-J模型与Fermion-spin理论 | 第20-32页 |
| §2.1 t-J模型 | 第20-23页 |
| §2.2 Fermion-spin理论 | 第23-25页 |
| §2.3 t-J模型的fermion-spin平均场理论 | 第25-30页 |
| §2.4 总结 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章：铜氧化物材料正常态反常的电荷动力学研究 | 第32-70页 |
| §3.1 单层铜氧化物材料在欠掺杂区域的电荷动力学 | 第32-45页 |
| §3.1.1 引言 | 第32-33页 |
| §3.1.2 理论推导 | 第33-37页 |
| §3.1.3 计算结果 | 第37-40页 |
| §3.1.4 讨论 | 第40-45页 |
| §3.2 铜氧化物材料反常的c-轴电荷动力学 | 第45-57页 |
| §3.2.1 引言 | 第45-46页 |
| §3.2.2 理论推导 | 第46-49页 |
| §3.2.3 CuO_2平面之间存在Cu-O链时的结果 | 第49-52页 |
| §3.2.4 CuO_2平面之间没有Cu-O链时的结果 | 第52-54页 |
| §3.2.5 讨论 | 第54-57页 |
| §3.3 双层铜氧化物材料的电荷动力学 | 第57-64页 |
| §3.3.1 引言 | 第57-58页 |
| §3.3.2 理论推导 | 第58-61页 |
| §3.3.3 结果和讨论 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 第四章：铜氧化物材料正常态反常的自旋动力学 | 第70-99页 |
| §4.1 单层铜氧化物材料反常的自旋动力学 | 第70-86页 |
| §4.1.1 引言 | 第70-71页 |
| §4.1.2 理论推导 | 第71-74页 |
| §4.1.3 单层铜氧化物材料的中子散射理论与非公度磁性涨落 | 第74-81页 |
| §4.1.4 电子次近邻跃迁对自旋动力学的影响 | 第81-85页 |
| §4.1.5 总结 | 第85-86页 |
| §4.2 双层铜氧化物材料的中子散射理论与反常的[π，π]共振峰 | 第86-94页 |
| §4.2.1 引言 | 第86-87页 |
| §4.2.2 理论推导 | 第87-89页 |
| §4.2.3 结果和讨论 | 第89-94页 |
| 参考文献 | 第94-99页 |
| 第五章：铜氧化物材料的赝能隙及相关的电子色散中的flat band问题 | 第99-108页 |
| §5.1 引言 | 第99-100页 |
| §5.2 理论推导 | 第100-102页 |
| §5.3 结果和讨论 | 第102-106页 |
| 参考文献 | 第106-108页 |
| 第六章：结论 | 第108-111页 |
| 论文发表情况 | 第111-112页 |
