| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 1 引言 | 第7-10页 |
| 1．1 概述 | 第7-8页 |
| 1．2 剂量增强的蒙-卡计算 | 第8-9页 |
| 1．3 本研究工作的界限和工作量 | 第9-10页 |
| 2 γ射线与物质的相互作用机制 | 第10-19页 |
| 2．1 光电效应 | 第10-14页 |
| 2．1．1 光电子的能量 | 第11页 |
| 2．1．2 光电截面 | 第11-13页 |
| 2．1．3 光电子的角分布 | 第13-14页 |
| 2．2 康普顿效应和电子对效应 | 第14-19页 |
| 2．2．1 康普顿效应 | 第14-17页 |
| 2．2．1．1 散射光子和反冲的能量与散射角的关系 | 第15-16页 |
| 2．2．1．2 康普顿散射截面和角分布 | 第16-17页 |
| 2．2．2 电子对效应 | 第17-19页 |
| 3 剂量增强效应 | 第19-27页 |
| 3．1 剂量增强效应的产生 | 第19页 |
| 3．2 金/硅界面的剂量增强效应 | 第19-20页 |
| 3．3 材料和CMOS的剂量增强 | 第20-22页 |
| 3．4 器件中的剂量增强效应 | 第22-23页 |
| 3．5 总剂量响应 | 第23页 |
| 3．6 瞬时响应 | 第23-24页 |
| 3．7 电容器上的剂量增强 | 第24-25页 |
| 3．8 系统设计剂量增强系数 | 第25-27页 |
| 4 计算方法 | 第27-42页 |
| 4．1 蒙特卡罗方法的基本原理 | 第27-28页 |
| 4．2 蒙特卡罗方法对剂量增强的计算 | 第28-31页 |
| 4．2．1 光子的输运 | 第28-31页 |
| 4．3 蒙特卡罗方法计算剂量增强在计算机上的实现 | 第31-42页 |
| 4．3．1 钽-硅界面的具体计算 | 第32-34页 |
| 4．3．2 钨-硅界面的具体计算 | 第34-35页 |
| 4．3．3 钽-二氧化硅界面的具体计算 | 第35-37页 |
| 4．3．4 钨-二氧化硅界面的具体计算 | 第37-38页 |
| 4．3．5 金-硅界面的具体计算 | 第38-40页 |
| 4．3．6 模拟CMOS器件灵敏区剂量增强的具体计算 | 第40-42页 |
| 5 计算结果 | 第42-54页 |
| 5．1 钽-硅界面的剂量增强系数 | 第42-44页 |
| 5．2 钨-硅界面的剂量增强系数 | 第44-46页 |
| 5．3 钽-二氧化硅界面的剂量增强系数 | 第46-48页 |
| 5．4 钨-二氧化硅界面的剂量增强系数 | 第48-50页 |
| 5．5 金-硅界面的剂量增强系数 | 第50-52页 |
| 5．6 模拟CMOS器件灵敏区的剂量增强系数 | 第52-54页 |
| 6 MCNP程序计算剂量增强效应的可靠性 | 第54-55页 |
| 7 计算结论 | 第55-56页 |
| 论文总结 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考资料 | 第58-61页 |
| 附录（公开发表的论文） | 第61-68页 |