溶胶凝胶法制备氧化硅薄膜裂纹形貌研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| ·氧化硅薄膜裂纹形貌研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·氧化硅薄膜的制备方法 | 第10-15页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第10-13页 |
| ·PECVD法 | 第13-14页 |
| ·磁控溅射法 | 第14页 |
| ·硅烷氧化法 | 第14-15页 |
| ·氧化硅薄膜的性质 | 第15-17页 |
| ·氧化硅薄膜的结构 | 第15页 |
| ·氧化硅薄膜的热力学特性 | 第15-17页 |
| ·薄膜应力产生与释放机制 | 第17-20页 |
| ·薄膜应力产生机制 | 第17-19页 |
| ·薄膜应力释放机制 | 第19-20页 |
| ·薄膜裂纹分类 | 第20-21页 |
| ·氧化硅薄膜内裂纹生长机理 | 第21-27页 |
| ·裂纹基本生长理论 | 第21-24页 |
| ·诱导下的裂纹生长机理 | 第24-27页 |
| ·本论文研究的目的、意义和主要内容 | 第27-29页 |
| ·论文研究的目的和意义 | 第27页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验与测试 | 第29-35页 |
| ·实验参数选择 | 第29-31页 |
| ·溶胶配方选择 | 第29-31页 |
| ·热处理温度选择 | 第31页 |
| ·实验试剂 | 第31-32页 |
| ·实验装置 | 第32页 |
| ·提拉镀膜机 | 第32页 |
| ·磁力搅拌器 | 第32页 |
| ·热处理炉 | 第32页 |
| ·实验工艺 | 第32-33页 |
| ·溶胶的制备过程 | 第32页 |
| ·提拉镀膜 | 第32-33页 |
| ·测试条件 | 第33-35页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第33页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
| ·光学显微镜 | 第34页 |
| ·截面形貌(TEM) | 第34页 |
| ·成分分析(EDAX) | 第34-35页 |
| 第3章 基底弯曲对裂纹形貌的影响 | 第35-41页 |
| ·基底弯曲法的实验工艺 | 第35-36页 |
| ·实验结果 | 第36-37页 |
| ·温度对基底弯曲的影响 | 第36页 |
| ·热处理时间与薄膜层数的关系 | 第36-37页 |
| ·结果讨论 | 第37-40页 |
| ·裂纹形貌分析 | 第37-38页 |
| ·机理分析 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 波浪形纳米裂纹形貌 | 第41-54页 |
| ·波浪形裂纹形貌 | 第41页 |
| ·波浪形纳米裂纹的生长条件 | 第41-43页 |
| ·实验 | 第41-43页 |
| ·结果与分析 | 第43页 |
| ·波浪形纳米裂纹的生长规律 | 第43-47页 |
| ·实验 | 第43-44页 |
| ·结果与分析 | 第44-47页 |
| ·弧形裂纹生长机理分析 | 第47-50页 |
| ·圆弧形裂纹分析 | 第47-48页 |
| ·波浪形裂纹分析 | 第48页 |
| ·螺旋形裂纹分析 | 第48-50页 |
| ·多层膜间裂纹形貌的相互影响 | 第50-52页 |
| ·底层裂纹对形貌的影响 | 第50-52页 |
| ·表层裂纹对形貌的影响 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 附录 | 第59页 |
