| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| ·课题研究的学术背景 | 第8-9页 |
| ·单电子技术的发展简史和研究现状 | 第9-10页 |
| ·论文主要工作及结构安排 | 第10-12页 |
| 2 单电子理论及数值模拟的基本方法 | 第12-21页 |
| ·单电子理论 | 第12-15页 |
| ·单电子隧穿效应和库仑阻塞效应 | 第12-13页 |
| ·正统理论和单电子隧穿率 | 第13-15页 |
| ·观测单电子效应的必要条件 | 第15页 |
| ·单电子系统数值模拟的基本方法 | 第15-19页 |
| ·现有的单电子系统模拟器 | 第15-16页 |
| ·主方程法 | 第16-19页 |
| ·蒙特卡罗法 | 第19页 |
| ·本文对模拟方法选择的考虑 | 第19-21页 |
| 3 基于主方程法单电子晶体管的HSPICE模型 | 第21-44页 |
| ·单电子晶体管主方程法建模 | 第21-30页 |
| ·单电子晶体管主方程模型的建立 | 第21-24页 |
| ·主方程模型的求解 | 第24-28页 |
| ·单电子晶体管的简化电导模型 | 第28-30页 |
| ·单电子晶体管CMI模型 | 第30-36页 |
| ·HSPICE的CMI功能概述 | 第30-31页 |
| ·单电子晶体管CMI模型的建立 | 第31-35页 |
| ·单电子晶体管CMI模型的相关说明 | 第35-36页 |
| ·CMI模型的验证与SET特性模拟 | 第36-43页 |
| ·CMI模型的验证 | 第36-39页 |
| ·SET的特性仿真 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 4 基于主方程法单电子晶体管的Verilog-A模型 | 第44-54页 |
| ·单电子晶体管的Verilog-A模型 | 第44-47页 |
| ·verilog-A语言概述 | 第44页 |
| ·单电子晶体管verilog-A模型的建立 | 第44-47页 |
| ·模型验证 | 第47页 |
| ·单电子晶体管verilog-A模型与Lientschnig模型的对比 | 第47-51页 |
| ·Verilog-A模型的扩展 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 5 单电子晶体管电路的设计与仿真研究 | 第54-70页 |
| ·单电子晶体管二进制全加器电路 | 第54-62页 |
| ·基于互补逻辑的单电子晶体管全加器 | 第54-56页 |
| ·基于择多逻辑的单电子全加器 | 第56-58页 |
| ·基于传输管逻辑的单电子全加器 | 第58-61页 |
| ·三种单电子全加器的比较 | 第61-62页 |
| ·单电子晶体管AD转换电路 | 第62-66页 |
| ·SET AD转换电路的基本单元 | 第62-64页 |
| ·SET AD转换电路的实现与仿真 | 第64-66页 |
| ·SET/MOS混合DA转换电路 | 第66-69页 |
| ·SET/MOS基本混合单元 | 第66-68页 |
| ·SET/MOS DA转换电路 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 6 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |