InAs/GaSb体系非制冷红外探测材料研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·背景介绍 | 第7-9页 |
| ·本文的研究目的和意义 | 第9-13页 |
| 第二章 InAs/GaSbⅡ型超晶格材料介绍 | 第13-31页 |
| ·概述 | 第13页 |
| ·超晶格量子阱材料背景 | 第13-16页 |
| ·准二维和二维结构——超晶格与量子阱 | 第16-20页 |
| ·超晶格与量子阱的概念 | 第16页 |
| ·无限(infinite)量子阱 | 第16-18页 |
| ·超晶格与量子阱的简单性质 | 第18-20页 |
| ·Ⅱ型超晶格能带排列 | 第20-22页 |
| ·InAs/GaSb超晶格材料 | 第22-24页 |
| ·InAs/GaSb超晶格的能带结构特点 | 第24-26页 |
| ·Ⅱ型超晶格材料特性 | 第26-27页 |
| ·复合机制 | 第27-31页 |
| ·复合类型 | 第27-28页 |
| ·俄歇复合 | 第28-31页 |
| 第三章 MOCVD外延概述 | 第31-39页 |
| ·MOCVD简介 | 第31-35页 |
| ·MOCVD的概念及原理 | 第31-33页 |
| ·MOCVD外延生长方法的优缺点 | 第33-34页 |
| ·低压MOCVD | 第34-35页 |
| ·MOCVD设备简介 | 第35-39页 |
| ·MOCVD设备系统 | 第35-37页 |
| ·设备的性能与特征 | 第37页 |
| ·MOCVD设备的改造 | 第37-39页 |
| 第四章 薄膜材料的生长 | 第39-47页 |
| ·锑化物材料MOCVD生长的关键技术和难点 | 第39-43页 |
| ·平衡蒸汽压较低 | 第39-40页 |
| ·V族锑的氢化物 | 第40页 |
| ·生长动力学 | 第40-41页 |
| ·衬底 | 第41-43页 |
| ·薄膜材料的生长 | 第43-47页 |
| ·InAs/GaSb材料的生长方法 | 第43页 |
| ·MOCVD材料生长的热动力学过程 | 第43-45页 |
| ·InAs/GaSb超晶格结构的生长 | 第45-47页 |
| 第五章 生长结果的分析 | 第47-60页 |
| ·X射线衍射 | 第47-48页 |
| ·拉曼散射(Raman scattering)谱 | 第48-51页 |
| ·InAS/GaSb应变层超晶格材料的界面类型 | 第49-51页 |
| ·生长温度对外延层生长速率的影响 | 第51-52页 |
| ·生长参数对材料表面形貌的影响 | 第52-56页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第52-53页 |
| ·生长温度对表面形貌的影响 | 第53-54页 |
| ·过渡层对表面形貌的影响 | 第54页 |
| ·界面层对表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ比对外延层表面形貌的影响 | 第55-56页 |
| ·光致发光(PL)谱 | 第56-60页 |
| ·光致发光技术的主要优缺点 | 第57-58页 |
| ·光致发光谱 | 第58-59页 |
| ·光致发光谱检测 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| ·全文总结 | 第60页 |
| ·下一步工作设想 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
