| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·概述 | 第10-12页 |
| ·ZnO 纳米材料的研究意义 | 第12-21页 |
| ·性质 | 第12-17页 |
| ·应用 | 第17-21页 |
| ·ZnO 纳米材料的研究现状 | 第21-27页 |
| ·现存结构 | 第21-24页 |
| ·现存掺杂ZnO 纳米结构 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第二章 常用制备及发光表征方法 | 第28-43页 |
| ·常用制备方法 | 第28-31页 |
| ·气相法 | 第28-29页 |
| ·液相法 | 第29-30页 |
| ·固相法 | 第30-31页 |
| ·半导体ZnO 的发光理论 | 第31-37页 |
| ·半导体中的能带 | 第31-32页 |
| ·与发光有关的缺陷 | 第32-33页 |
| ·掺杂半导体理论 | 第33-35页 |
| ·载流子的复合 | 第35-37页 |
| ·常用发光表征方法 | 第37-42页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第37-40页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 低维ZnO 纳米结构的制备形貌及光学性质的研究 | 第43-55页 |
| ·实验 | 第43-45页 |
| ·制备方法及实验装置 | 第43-44页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·产物形貌结构及生长过程中影响因素的分析 | 第45-50页 |
| ·蒸发源与沉积区的距离的影响 | 第46-48页 |
| ·载气流量和保温时间的影响 | 第48-50页 |
| ·产物的TEM 结构 | 第50页 |
| ·生长机制与动力学 | 第50-51页 |
| ·发光性质 | 第51-54页 |
| ·光致发光图谱 | 第52-53页 |
| ·拉曼图谱 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 Bi 掺杂的ZnO 纳米结构的制备形貌及光学性质的研究 | 第55-70页 |
| ·掺杂ZnO 纳米材料的研究现状 | 第55-56页 |
| ·以Zn 粉为起始材料 | 第55-56页 |
| ·以氧化锌为起始材料 | 第56页 |
| ·实验 | 第56-57页 |
| ·制备方法及实验装置 | 第56页 |
| ·实验过程 | 第56-57页 |
| ·Bi 掺杂ZnO 纳米结构产物形貌及结构 | 第57-63页 |
| ·掺Bi_2O_3 粉0.5mol%样品的SEM 图 | 第58-61页 |
| ·掺Bi_2O_3 粉1mol%的产物形貌 | 第61-63页 |
| ·不同掺杂量ZnO 产物的TEM 图 | 第63页 |
| ·掺杂对光学性能的影响 | 第63-67页 |
| ·宽频带强吸收 | 第63-64页 |
| ·蓝移和红移现象 | 第64-65页 |
| ·激子吸收带—量子限域效应 | 第65-67页 |
| ·Bi 掺杂产物的发光性质 | 第67-69页 |
| ·光致发光图谱 | 第67-68页 |
| ·拉曼图谱 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 附录 | 第79页 |
