| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 插图索引 | 第14-17页 |
| 附表索引 | 第17-18页 |
| 第1章 绪论 | 第18-38页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·一维碳纳米材料的研究现状 | 第18-20页 |
| ·电弧法 | 第19页 |
| ·催化热解法 | 第19页 |
| ·其他方法 | 第19-20页 |
| ·碳薄膜材料的研究现状 | 第20-23页 |
| ·离子束沉积(IBD) | 第21页 |
| ·溅射沉积(RFS and MS) | 第21页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第21-22页 |
| ·射频等离子体增强化学气相沉积(rf PECVD) | 第22页 |
| ·热丝化学气相沉积(HFCVD) | 第22-23页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的研究现状 | 第23-34页 |
| ·碳化硅的发展历史 | 第23-25页 |
| ·碳化硅的结构与性能 | 第25-32页 |
| ·一维碳化硅纳米材料的制备方法 | 第32-34页 |
| ·水热法制备一维纳米材料的研究现状 | 第34-36页 |
| ·不加催化剂 | 第35页 |
| ·添加催化剂 | 第35-36页 |
| ·选题的目的、意义及内容 | 第36-38页 |
| ·选题目的及意义 | 第36页 |
| ·主要研究内容 | 第36-38页 |
| 第2章 水热法合成金属催化剂前驱体对制备一维碳纳米材料的影响 | 第38-63页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·实验 | 第39-42页 |
| ·实验设备及原料 | 第39-41页 |
| ·制备工艺过程 | 第41-42页 |
| ·样品表征方法 | 第42页 |
| ·β-Ni(OH)2 的水热法制备与表征 | 第42-47页 |
| ·β-Ni(OH)_2 形貌及结构分析 | 第42-45页 |
| ·水热温度对β-Ni(OH)_2 的影响 | 第45-46页 |
| ·保温时间对β-Ni(OH)_2 的影响 | 第46-47页 |
| ·水热法合成β-Ni(OH)_2 对制备碳纳米纤维的影响 | 第47-52页 |
| ·碳纳米纤维的形貌及结构分析 | 第47-48页 |
| ·不同水热温度合成β-Ni(OH)_2 对制备碳纳米纤维的影响 | 第48-49页 |
| ·不同保温时间合成β-Ni(OH)_2 对制备碳纳米纤维的影响 | 第49页 |
| ·定向碳纳米纤维的形貌、结构及生长机理分析 | 第49-52页 |
| ·γ-Fe_20_3/Si0_2 的水热法制备与表征 | 第52-57页 |
| ·水热温度对γ-Fe_20_3/Si0_2 的影响 | 第52-56页 |
| ·配比浓度对γ-Fe_20_3/Si0_2 的影响 | 第56-57页 |
| ·水热法合成γ-Fe_20_3/Si0_2 对制备碳纳米管的影响 | 第57-61页 |
| ·碳纳米管的形貌及结构分析 | 第57-59页 |
| ·不同水热温度合成γ-Fe_20_3/Si0_2 对制备碳纳米管的影响 | 第59页 |
| ·不同配比浓度合成γ-Fe_20_3/Si0_2 对制备碳纳米管的影响 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第3章 纳米金刚石薄膜的制备与表征 | 第63-78页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验 | 第64-67页 |
| ·实验设备及原料 | 第64-65页 |
| ·制备工艺过程 | 第65-66页 |
| ·样品表征方法 | 第66-67页 |
| ·纳米金刚石薄膜形貌及结构分析 | 第67-68页 |
| ·纳米金刚石薄膜的SEM 和AFM 分析 | 第67页 |
| ·纳米金刚石薄膜的Raman 分析 | 第67-68页 |
| ·工艺参数对纳米金刚石薄膜的影响 | 第68-77页 |
| ·温度对薄膜形貌的影响 | 第68-71页 |
| ·射频功率对薄膜形貌的影响 | 第71-72页 |
| ·偏压对薄膜形貌的影响 | 第72-74页 |
| ·纳米金刚石薄膜生长机理分析 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第4章 碳化硅纳米线的热蒸发法制备与表征 | 第78-98页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·实验 | 第79-81页 |
| ·实验设备及原料 | 第79-80页 |
| ·制备工艺过程 | 第80页 |
| ·样品表征方法 | 第80-81页 |
| ·碳源对制备碳化硅纳米线的影响及生长机理的分析 | 第81-93页 |
| ·零维碳源的影响 | 第81-84页 |
| ·一维碳源的影响 | 第84-87页 |
| ·二维碳源的影响 | 第87-93页 |
| ·硅源对制备碳化硅纳米线的影响 | 第93-94页 |
| ·其他工艺条件的影响 | 第94-96页 |
| ·反应温度对碳化硅纳米线形貌的影响 | 第94-95页 |
| ·反应时间对碳化硅纳米线形貌的影响 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 第5章 碳化硅纳米棒的水热法制备与表征 | 第98-108页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·实验 | 第99-100页 |
| ·实验设备及原料 | 第99页 |
| ·制备工艺过程 | 第99-100页 |
| ·样品表征方法 | 第100页 |
| ·碳化硅纳米棒的形貌、结构及成分分析 | 第100-105页 |
| ·碳化硅纳米棒的SEM、TEM 及电子衍射分析 | 第100-102页 |
| ·碳化硅纳米棒的EDS 分析 | 第102页 |
| ·碳化硅纳米棒的HRTEM 分析 | 第102-103页 |
| ·碳化硅纳米棒的XRD 及Raman 分析 | 第103-105页 |
| ·碳化硅纳米棒的生长机理分析 | 第105-106页 |
| ·碳化硅纳米棒的PL 光谱分析 | 第106-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第6章 碳化硅纳米线/棒的模板法制备与表征 | 第108-119页 |
| ·引言 | 第108页 |
| ·实验 | 第108-110页 |
| ·实验设备及原料 | 第108-109页 |
| ·制备工艺过程 | 第109-110页 |
| ·样品表征方法 | 第110页 |
| ·多孔氧化铝模板的SEM 分析 | 第110-111页 |
| ·模板辅助热蒸发法合成碳化硅纳米线形貌分析 | 第111-113页 |
| ·碳化硅纳米线的SEM 及XRD 分析 | 第111-112页 |
| ·碳化硅纳米线的TEM 及HRTEM 分析 | 第112页 |
| ·生长机理分析 | 第112-113页 |
| ·碳化硅纳米线的PL 光谱分析 | 第113-114页 |
| ·模板辅助水热法合成碳化硅纳米棒形貌分析 | 第114-118页 |
| ·碳化硅纳米棒的SEM 及XRD 分析 | 第114-115页 |
| ·碳化硅纳米棒的HRTEM 和EDS 分析 | 第115-116页 |
| ·制备工艺的影响及生长机理分析 | 第116-118页 |
| ·本章小结 | 第118-119页 |
| 结论 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 附录 A 攻读博士学位期间发表的论文 | 第137-138页 |
| 附录 B 攻读博士学位期间的专利 | 第138页 |
