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缺陷对单壁碳纳米管和石墨烯电子输运特性影响的研究

摘要第1-7页
Abstract第7-13页
插图索引第13-16页
附表索引第16-17页
第1章 绪论第17-34页
   ·引言第17-18页
   ·石墨烯的结构第18-20页
   ·碳纳米管的结构第20-23页
   ·石墨烯的制备及纯化第23-24页
   ·碳纳米管的制备及纯化第24-26页
     ·碳纳米管的制备第24-25页
     ·碳纳米管的纯化第25-26页
   ·碳纳米管的结构检测第26-29页
   ·石墨烯和碳纳米管的应用前景第29-31页
     ·石墨烯的应用前景第29-30页
     ·碳纳米管的应用前景第30-31页
   ·碳纳米管和石墨烯中电子输运的研究第31-33页
     ·碳纳米管中电子输运的研究第31-32页
     ·石墨烯中电子输运的研究第32-33页
   ·本文的工作和目的第33-34页
第2章 密度泛函理论结合非平衡格林函数的计算方法第34-46页
   ·引言第34-35页
   ·第一性原理计算理论第35-40页
     ·绝热近似第35页
     ·Hartree-Fock 近似第35-36页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第36-37页
     ·Kohn-Sham 方程第37-38页
     ·交换关联项的近似第38页
     ·赝势近似第38-40页
   ·基于密度泛函理论的非平衡格林函数计算电子输运第40-45页
     ·边界条件和散射态第41-42页
     ·密度矩阵第42-43页
     ·基态下的复围道积分第43-44页
     ·计算非平衡密度矩阵的自洽迭代方法第44页
     ·非平衡有效势第44-45页
     ·电导公式第45页
   ·本章小结第45-46页
第3章 曲率效应对小直径碳纳米管的影响第46-56页
   ·引言第46页
   ·模型和方法第46-47页
   ·结果分析与讨论第47-54页
     ·扶手椅型理想碳纳米管第47-51页
     ·锯齿型理想碳纳米管第51-54页
   ·本章小结第54-56页
第4章 分子内结对碳纳米管电子输运的影响第56-76页
   ·引言第56页
   ·单壁管/单壁管结结构和制备第56-58页
   ·模型和参数设置第58-69页
     ·半导体-半导体(S-S)型内结第58-63页
     ·金属-半导体型(M-S)内结第63-66页
     ·金属-金属(M-M)型内结第66-69页
   ·门压下异质结的电流控制第69-70页
   ·门电压下异质结中电子输运的模拟第70-75页
   ·本章小结第75-76页
第5章 空位缺陷对金属型碳纳米管输运的影响第76-97页
   ·引言第76-77页
   ·模型和计算方法第77页
   ·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的电子结构第77-87页
     ·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的结构和转变能第77-79页
     ·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的能带结构第79-81页
     ·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的输运特性第81-85页
     ·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的I-V 特性第85-87页
   ·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的电子结构第87-95页
     ·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的结构和转变能第87-89页
     ·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的能带结构第89-90页
     ·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的输运特性第90-94页
     ·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的I-V 特性第94-95页
   ·本章小结第95-97页
第6章 石墨烯纳米带中电子输运的模拟第97-105页
   ·引言第97-98页
   ·石墨烯纳米带计算模型第98-99页
   ·氮掺杂石墨烯纳米带的电子结构第99-102页
     ·氮掺杂纳米带的几何结构第99-100页
     ·氮掺杂纳米带的能带结构第100-102页
   ·氮掺杂石墨烯纳米带的输运特性第102-103页
   ·本章小结第103-105页
结论与展望第105-108页
参考文献第108-122页
致谢第122-124页
附录 A 攻读学位期间所发表学术论文目录第124-125页

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