缺陷对单壁碳纳米管和石墨烯电子输运特性影响的研究
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
插图索引 | 第13-16页 |
附表索引 | 第16-17页 |
第1章 绪论 | 第17-34页 |
·引言 | 第17-18页 |
·石墨烯的结构 | 第18-20页 |
·碳纳米管的结构 | 第20-23页 |
·石墨烯的制备及纯化 | 第23-24页 |
·碳纳米管的制备及纯化 | 第24-26页 |
·碳纳米管的制备 | 第24-25页 |
·碳纳米管的纯化 | 第25-26页 |
·碳纳米管的结构检测 | 第26-29页 |
·石墨烯和碳纳米管的应用前景 | 第29-31页 |
·石墨烯的应用前景 | 第29-30页 |
·碳纳米管的应用前景 | 第30-31页 |
·碳纳米管和石墨烯中电子输运的研究 | 第31-33页 |
·碳纳米管中电子输运的研究 | 第31-32页 |
·石墨烯中电子输运的研究 | 第32-33页 |
·本文的工作和目的 | 第33-34页 |
第2章 密度泛函理论结合非平衡格林函数的计算方法 | 第34-46页 |
·引言 | 第34-35页 |
·第一性原理计算理论 | 第35-40页 |
·绝热近似 | 第35页 |
·Hartree-Fock 近似 | 第35-36页 |
·Hohenberg-Kohn 定理 | 第36-37页 |
·Kohn-Sham 方程 | 第37-38页 |
·交换关联项的近似 | 第38页 |
·赝势近似 | 第38-40页 |
·基于密度泛函理论的非平衡格林函数计算电子输运 | 第40-45页 |
·边界条件和散射态 | 第41-42页 |
·密度矩阵 | 第42-43页 |
·基态下的复围道积分 | 第43-44页 |
·计算非平衡密度矩阵的自洽迭代方法 | 第44页 |
·非平衡有效势 | 第44-45页 |
·电导公式 | 第45页 |
·本章小结 | 第45-46页 |
第3章 曲率效应对小直径碳纳米管的影响 | 第46-56页 |
·引言 | 第46页 |
·模型和方法 | 第46-47页 |
·结果分析与讨论 | 第47-54页 |
·扶手椅型理想碳纳米管 | 第47-51页 |
·锯齿型理想碳纳米管 | 第51-54页 |
·本章小结 | 第54-56页 |
第4章 分子内结对碳纳米管电子输运的影响 | 第56-76页 |
·引言 | 第56页 |
·单壁管/单壁管结结构和制备 | 第56-58页 |
·模型和参数设置 | 第58-69页 |
·半导体-半导体(S-S)型内结 | 第58-63页 |
·金属-半导体型(M-S)内结 | 第63-66页 |
·金属-金属(M-M)型内结 | 第66-69页 |
·门压下异质结的电流控制 | 第69-70页 |
·门电压下异质结中电子输运的模拟 | 第70-75页 |
·本章小结 | 第75-76页 |
第5章 空位缺陷对金属型碳纳米管输运的影响 | 第76-97页 |
·引言 | 第76-77页 |
·模型和计算方法 | 第77页 |
·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的电子结构 | 第77-87页 |
·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的结构和转变能 | 第77-79页 |
·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的能带结构 | 第79-81页 |
·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的输运特性 | 第81-85页 |
·含有缺陷的(12,0)碳纳米管的I-V 特性 | 第85-87页 |
·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的电子结构 | 第87-95页 |
·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的结构和转变能 | 第87-89页 |
·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的能带结构 | 第89-90页 |
·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的输运特性 | 第90-94页 |
·含有缺陷的(7,7)碳纳米管的I-V 特性 | 第94-95页 |
·本章小结 | 第95-97页 |
第6章 石墨烯纳米带中电子输运的模拟 | 第97-105页 |
·引言 | 第97-98页 |
·石墨烯纳米带计算模型 | 第98-99页 |
·氮掺杂石墨烯纳米带的电子结构 | 第99-102页 |
·氮掺杂纳米带的几何结构 | 第99-100页 |
·氮掺杂纳米带的能带结构 | 第100-102页 |
·氮掺杂石墨烯纳米带的输运特性 | 第102-103页 |
·本章小结 | 第103-105页 |
结论与展望 | 第105-108页 |
参考文献 | 第108-122页 |
致谢 | 第122-124页 |
附录 A 攻读学位期间所发表学术论文目录 | 第124-125页 |