涂层导体新型缓冲层制备工艺研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| ·超导材料及其发展历程 | 第10页 |
| ·超导材料的基本特性 | 第10-11页 |
| ·超导材料的分类 | 第11-12页 |
| ·超导体的应用及发展前景 | 第12页 |
| ·高温超导材料 | 第12-13页 |
| ·涂层导体 | 第13-15页 |
| ·涂层导体金属基底 | 第13-14页 |
| ·涂层导体缓冲层 | 第14-15页 |
| ·涂层导体缓冲层材料 | 第15-17页 |
| ·涂层导体的制备方法 | 第17-19页 |
| ·实验中涉及到的基础理论 | 第19-28页 |
| ·电化学抛光的基本理论 | 第19-20页 |
| ·影响电化学抛光效果的主要因素 | 第20-21页 |
| ·电化学抛光的优点 | 第21-22页 |
| ·金属氧化的基本理论 | 第22-26页 |
| ·外延生长机理 | 第26-28页 |
| ·本论文的主要内容 | 第28-29页 |
| 第二章 实验方案及表征方法 | 第29-37页 |
| ·电化学抛光NiW基带工艺的实验方案 | 第29页 |
| ·NiO缓冲层制备的实验方案 | 第29-30页 |
| ·REBiO_3缓冲层制备的实验方案 | 第30-32页 |
| ·REBiO_3的晶体结构 | 第30页 |
| ·REBiO_3的电性质和磁性质 | 第30-32页 |
| ·表征方法 | 第32-37页 |
| ·样品的晶体结构分析 | 第32-33页 |
| ·样品的织构分析 | 第33-34页 |
| ·微结构和表面形貌 | 第34-36页 |
| ·差热分析 | 第36-37页 |
| 第三章 电化学抛光NiW基带工艺 | 第37-43页 |
| ·电化学抛光NiW基带 | 第37页 |
| ·测试与分析 | 第37-42页 |
| ·退火温度对NiW基带织构的影响 | 第37-38页 |
| ·电化学抛光对NiW基带表面的影响 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 SOE法制备NiO缓冲层 | 第43-59页 |
| ·NiW基带的自氧化外延 | 第43页 |
| ·NiW基带氧化工艺 | 第43-44页 |
| ·测试与分析 | 第44-58页 |
| ·电化学抛光对NiO缓冲层的间接影响 | 第44-46页 |
| ·氧化时间对NiO缓冲层的影响 | 第46-54页 |
| ·氧化温度对NiO缓冲层的影响 | 第54-56页 |
| ·氧化镍颜色随厚度变化规律的探索 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 CSD法制备REBiO_3缓冲层 | 第59-69页 |
| ·高分子前驱物PAA/PMAA的合成 | 第59页 |
| ·胶体的制备 | 第59-60页 |
| ·胶体的涂敷 | 第60页 |
| ·薄膜的热处理 | 第60-61页 |
| ·分解成相工艺的探索 | 第61-62页 |
| ·测试与分析 | 第62-68页 |
| ·成相温度对SmBiO_3缓冲层的影响 | 第62-65页 |
| ·电化学抛光对SmBiO_3缓冲层的间接影响 | 第65-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 攻读硕士期间发表的论文和科研成果 | 第79页 |
