| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第15-30页 |
| 1.1 二维纳米材料简介 | 第15-17页 |
| 1.2 二维过渡金属硫属化合物 | 第17-22页 |
| 1.2.1 二维MoS_2 薄膜的性质 | 第18-20页 |
| 1.2.2 二维PtSe_2 薄膜的性质 | 第20-22页 |
| 1.3 基于二维材料的红外光电探测器 | 第22-28页 |
| 1.3.1 基于二维MoS_2 薄膜的红外光电探测器 | 第25-27页 |
| 1.3.2 基于二维PtSe_2 薄膜的红外光电探测器 | 第27-28页 |
| 1.4 本论文的研究目的和内容 | 第28-30页 |
| 2 二维过渡金属硫族化物薄膜的制备与表征 | 第30-48页 |
| 2.1 二维纳米材料的制备方法 | 第30-35页 |
| 2.2 二维MoS_2 薄膜的制备和表征 | 第35-42页 |
| 2.2.1 实验所用仪器和试剂 | 第36-37页 |
| 2.2.2 大面积二维MoS_2 薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 2.2.3 二维MoS_2薄膜的表征 | 第38-42页 |
| 2.3 二维PtSe_2薄膜的制备与表征 | 第42-47页 |
| 2.3.1 实验所用仪器和试剂 | 第42-44页 |
| 2.3.2 大面积二维PtSe_2薄膜的制备 | 第44-45页 |
| 2.3.3 二维PtSe_2薄膜的表征 | 第45-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 3 MoS_2/CdTe异质结红外光电探测器的设计及性能研究 | 第48-58页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 测试所用主要仪器 | 第49-50页 |
| 3.3 光电探测器性能表征 | 第50页 |
| 3.4 MoS_2/CdTe异质结红外光电探测器的制备 | 第50-51页 |
| 3.5 MoS_2/CdTe异质结红外光电探测器的性能表征 | 第51-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-58页 |
| 4 PtSe_2/CdTe异质结红外光电探测器的设计及性能研究 | 第58-66页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 PtSe_2/CdTe异质结红外光电探测器的制备 | 第58-59页 |
| 4.3 PtSe_2/CdTe异质结红外光电探测器的性能表征 | 第59-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 5 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 总结 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 个人简历及研究生期间的成果 | 第76-79页 |
| 个人简历 | 第76页 |
| 参与的科研项目及学术会议 | 第76页 |
| 硕士期间发表论文 | 第76-77页 |
| 申请发明专利 | 第77-78页 |
| 获奖情况 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
