首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--复合材料论文

光沉积法制备氧化钨负载铂、钯复合材料及气敏性能研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第8-32页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 半导体金属氧化物(SMOs)气体传感器第9-16页
        1.2.1 微型传感器的发展以及半导体金属氧化物第9-12页
        1.2.2 SMOs气体传感器性能的主要特征参数第12-14页
        1.2.3 SMOs气体传感器敏感机理第14-16页
    1.3 WO_3气敏材料研究现状第16-24页
        1.3.1 WO_3的基本性质及其在气敏方面的应用第16-18页
        1.3.2 改进WO_3气敏性能的主要方法第18-24页
    1.4 贵金属-WO_3复合材料气敏性能研究进展第24-30页
        1.4.1 贵金属改进WO_3气敏性能机理第24-25页
        1.4.2 氧化钨负载铂、钯复合材料及其气敏性能研究现状第25-30页
    1.5 课题的提出、研究内容与创新点第30-32页
        1.5.1 课题的提出和研究内容第30-31页
        1.5.2 课题的创新点第31-32页
第2章 实验部分第32-40页
    2.1 实验原料和仪器设备第32-33页
    2.2 WO_3纳米片及Pt/WO_3、Pd/WO_3复合物的制备第33-35页
    2.3 材料表征方法第35-37页
    2.4 气体传感器的制备及气敏性能测试方法第37-40页
第3章 光沉积法制备原子级分散Pt/WO_3纳米片复合物及合成机理研究第40-58页
    3.1 引言第40页
    3.2 原子级分散Pt/WO_3纳米片复合物的制备第40-54页
        3.2.1 原子级分散Pt/WO_3纳米片复合物的制备流程第40-41页
        3.2.2 Pt/WO_3纳米片复合物的物相组成和微观形貌第41-44页
        3.2.3 复合物中Pt的存在状态及Pt与WO_3纳米片的界面结合第44-52页
        3.2.4 酸处理WO_3纳米片的物相组成和微观形貌第52-54页
    3.3 原子级分散Pt/WO_3纳米片复合物的合成机理分析第54-56页
    3.4 本章小结第56-58页
第4章 原子级分散Pt/WO_3纳米片复合物对丁酮气敏性能及机理研究第58-72页
    4.1 引言第58页
    4.2 原子级分散Pt/WO_3纳米片复合物的气敏性能第58-67页
        4.2.1 不同光照条件下制备的Pt/WO_3纳米片复合物的气敏性能第58-64页
        4.2.2 不同光照条件下盐酸处理的WO_3纳米片的气敏性能第64-67页
    4.3 复合物中Pt的存在和光照条件对材料气敏性能的影响及气敏机理分析第67-69页
    4.4 本章小结第69-72页
第5章 光沉积法制备Pd/WO_3复合物及其气敏性能研究第72-86页
    5.1 引言第72页
    5.2 Pd/WO_3复合物的物相组成和微观结构第72-77页
    5.3 Pd/WO_3复合物的气敏性能第77-83页
        5.3.1 不同光照条件下制备的Pd/WO_3复合物的气敏性能第77-82页
        5.3.2 光照条件对Pd/WO_3复合物气敏性能影响及气敏机理分析第82-83页
    5.4 本章小结第83-86页
第6章 全文总结第86-88页
参考文献第88-98页
发表论文及参与科研项目情况第98-100页
致谢第100页

论文共100页,点击 下载论文
上一篇:多端柔性直流电网直流线路保护原理研究
下一篇:基于马尔科夫链—多场景技术的主动配电网优化调度