摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-24页 |
1.1 光电化学研究背景 | 第11页 |
1.2 光电化学制氢原理 | 第11-14页 |
1.3 光电化学制氢性能分析手段 | 第14-16页 |
1.3.1 线性扫描伏安曲线 | 第14页 |
1.3.2 莫特-肖特基曲线 | 第14-15页 |
1.3.3 电化学阻抗 | 第15页 |
1.3.4 单色光激发光电转化效率 | 第15-16页 |
1.3.5 太阳能-氢能转换效率 | 第16页 |
1.4 TiO_2和ZnO半导体及其光电化学方面应用 | 第16-18页 |
1.4.1 TiO_2和ZnO半导体的性能 | 第16-17页 |
1.4.2 TiO_2和ZnO光电极制备方法 | 第17-18页 |
1.5 TiO_2和ZnO光电极性能优化策略 | 第18-22页 |
1.5.1 微纳结构调控 | 第19页 |
1.5.2 元素掺杂 | 第19-20页 |
1.5.3 贵金属修饰 | 第20-21页 |
1.5.4 半导体异质结 | 第21-22页 |
1.6 本工作研究内容 | 第22-24页 |
第二章 C3N4/RGO包覆TiO_2异质结的可控制备及其光电性能研究 | 第24-37页 |
2.1 前言: | 第24-25页 |
2.2 实验部分 | 第25-27页 |
2.2.1 实验材料 | 第25页 |
2.2.2 实验仪器 | 第25-26页 |
2.2.3 光电极的制备 | 第26-27页 |
2.2.4 样品的光电化学性能测试 | 第27页 |
2.3 结果与讨论 | 第27-36页 |
2.3.1 制备流程 | 第27-28页 |
2.3.2 结构分析 | 第28-33页 |
2.3.3 光电化学性能分析 | 第33-36页 |
2.4 本章小结 | 第36-37页 |
第三章 碳包覆ZnO异质结的原位制备及其光电性能研究 | 第37-47页 |
3.1 前言 | 第37-38页 |
3.2 实验部分 | 第38-39页 |
3.2.1 实验材料 | 第38页 |
3.2.2 实验仪器 | 第38页 |
3.2.3 光电极的制备 | 第38-39页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第39-45页 |
3.3.1 结构分析 | 第39-41页 |
3.3.2 光电化学性能分析 | 第41-45页 |
3.4 本章小结 | 第45-47页 |
第四章 Ni-PDA修饰ZnO异质光电极的制备及其光电化学性能研究 | 第47-60页 |
4.1 前言 | 第47-48页 |
4.2 实验部分 | 第48-49页 |
4.2.1 化学试剂 | 第48页 |
4.2.2 实验仪器 | 第48页 |
4.2.3 ZnO/Ni-PDA电极的制备 | 第48-49页 |
4.2.4 电极的光电化学性能测试 | 第49页 |
4.3 结果与讨论 | 第49-59页 |
4.3.1 结构分析 | 第49-55页 |
4.3.2 光电极的光电性能测试 | 第55-59页 |
4.4 本章小结 | 第59-60页 |
第五章 论文总结及前景展望 | 第60-62页 |
5.1 论文总结 | 第60页 |
5.2 前景展望 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-81页 |
致谢 | 第81-82页 |
在学期间发表的学术论文及其他科研成果 | 第82-83页 |
附录 | 第83-84页 |
附录A 中英文单位对照表 | 第83页 |
附录B 中英文缩写对照表 | 第83-84页 |