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碳基材料修饰金属氧化物异质结的构筑及光电化学分解水性能研究

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-24页
    1.1 光电化学研究背景第11页
    1.2 光电化学制氢原理第11-14页
    1.3 光电化学制氢性能分析手段第14-16页
        1.3.1 线性扫描伏安曲线第14页
        1.3.2 莫特-肖特基曲线第14-15页
        1.3.3 电化学阻抗第15页
        1.3.4 单色光激发光电转化效率第15-16页
        1.3.5 太阳能-氢能转换效率第16页
    1.4 TiO_2和ZnO半导体及其光电化学方面应用第16-18页
        1.4.1 TiO_2和ZnO半导体的性能第16-17页
        1.4.2 TiO_2和ZnO光电极制备方法第17-18页
    1.5 TiO_2和ZnO光电极性能优化策略第18-22页
        1.5.1 微纳结构调控第19页
        1.5.2 元素掺杂第19-20页
        1.5.3 贵金属修饰第20-21页
        1.5.4 半导体异质结第21-22页
    1.6 本工作研究内容第22-24页
第二章 C3N4/RGO包覆TiO_2异质结的可控制备及其光电性能研究第24-37页
    2.1 前言:第24-25页
    2.2 实验部分第25-27页
        2.2.1 实验材料第25页
        2.2.2 实验仪器第25-26页
        2.2.3 光电极的制备第26-27页
        2.2.4 样品的光电化学性能测试第27页
    2.3 结果与讨论第27-36页
        2.3.1 制备流程第27-28页
        2.3.2 结构分析第28-33页
        2.3.3 光电化学性能分析第33-36页
    2.4 本章小结第36-37页
第三章 碳包覆ZnO异质结的原位制备及其光电性能研究第37-47页
    3.1 前言第37-38页
    3.2 实验部分第38-39页
        3.2.1 实验材料第38页
        3.2.2 实验仪器第38页
        3.2.3 光电极的制备第38-39页
    3.3 实验结果与讨论第39-45页
        3.3.1 结构分析第39-41页
        3.3.2 光电化学性能分析第41-45页
    3.4 本章小结第45-47页
第四章 Ni-PDA修饰ZnO异质光电极的制备及其光电化学性能研究第47-60页
    4.1 前言第47-48页
    4.2 实验部分第48-49页
        4.2.1 化学试剂第48页
        4.2.2 实验仪器第48页
        4.2.3 ZnO/Ni-PDA电极的制备第48-49页
        4.2.4 电极的光电化学性能测试第49页
    4.3 结果与讨论第49-59页
        4.3.1 结构分析第49-55页
        4.3.2 光电极的光电性能测试第55-59页
    4.4 本章小结第59-60页
第五章 论文总结及前景展望第60-62页
    5.1 论文总结第60页
    5.2 前景展望第60-62页
参考文献第62-81页
致谢第81-82页
在学期间发表的学术论文及其他科研成果第82-83页
附录第83-84页
    附录A 中英文单位对照表第83页
    附录B 中英文缩写对照表第83-84页

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