| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 VO_2晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.3 VO_2相变原理及影响相变的因素 | 第12-15页 |
| 1.3.1 VO_2相变原理 | 第12-14页 |
| 1.3.2 影响相变的因素 | 第14-15页 |
| 1.4 VO_2薄膜的应用 | 第15-16页 |
| 1.4.1 智能窗材料 | 第15页 |
| 1.4.2 激光防护膜 | 第15页 |
| 1.4.3 红外辐射测热计 | 第15-16页 |
| 1.4.4 光盘存储材料 | 第16页 |
| 1.5 VO_2薄膜的制备方法 | 第16-20页 |
| 1.5.1 蒸发法 | 第16-17页 |
| 1.5.2 脉冲激光沉积法 | 第17页 |
| 1.5.3 溶胶-凝胶法 | 第17-18页 |
| 1.5.4 磁控溅射法 | 第18-20页 |
| 1.6 智能窗用VO_2基薄膜的研究进展 | 第20-22页 |
| 1.7 本论文的研究意义、内容及方案 | 第22-25页 |
| 1.7.1 研究意义 | 第22页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 1.7.3 研究方案 | 第23-25页 |
| 第二章 实验部分 | 第25-30页 |
| 2.1 实验原材料及设备 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验原材料 | 第25页 |
| 2.1.2 主要实验仪器 | 第25-26页 |
| 2.2 薄膜样品的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.1 清洗玻璃基片 | 第26-27页 |
| 2.2.2 磁控溅射镀膜及退火氧化 | 第27页 |
| 2.3 表征与测试方法 | 第27-29页 |
| 2.3.1 紫外-可见-近红外光透过率测试 | 第27-28页 |
| 2.3.2 晶相分析(X射线衍射) | 第28页 |
| 2.3.3 表面形貌分析(场发射扫描电子显微镜) | 第28-29页 |
| 2.3.4 薄膜厚度测试(台阶仪) | 第29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 多孔结构VO_2薄膜的制备及氧化工艺优化 | 第30-46页 |
| 3.1 前驱体薄膜的选择 | 第30-32页 |
| 3.2 退火气压对薄膜光学性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.3 退火温度对薄膜光学性能的影响 | 第33-37页 |
| 3.4 退火时间对薄膜光学性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.5 不同掺碳量对薄膜光学性能及微观结构的影响 | 第38-43页 |
| 3.5.1 不同碳掺量前驱体薄膜的制备 | 第38-39页 |
| 3.5.2 不同碳掺量对薄膜光学性能的影响 | 第39-41页 |
| 3.5.3 不同碳掺量对薄膜微观形貌的影响 | 第41-43页 |
| 3.6 不同碳掺量对薄膜晶体结构的影响 | 第43-44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 缓冲层对VO_2薄膜性能及晶体结构的影响 | 第46-55页 |
| 4.1 不同氧化物缓冲层上VO_2薄膜的制备及性能分析 | 第46-51页 |
| 4.1.1 不同氧化物缓冲层及VO_2薄膜的制备 | 第46-47页 |
| 4.1.2 薄膜晶相分析 | 第47-48页 |
| 4.1.3 薄膜光学性能分析 | 第48-49页 |
| 4.1.4 薄膜的微观形貌分析 | 第49-51页 |
| 4.2 FTO导电玻璃基底上VO_2薄膜的制备及性能分析 | 第51-53页 |
| 4.2.1 VO_2薄膜的制备 | 第51页 |
| 4.2.2 基底温度对VO_2薄膜光学性能的影响 | 第51-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 倾斜磁控溅射法制备VO_2薄膜 | 第55-60页 |
| 5.1 薄膜样品的制备 | 第55-56页 |
| 5.2 沉积角度对薄膜沉积速率的影响 | 第56页 |
| 5.3 沉积角度对薄膜光学性能的影响 | 第56-57页 |
| 5.4 沉积角度对薄膜微观形貌的影响 | 第57-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 论文总结 | 第60-61页 |
| 6.2 论文创新之处与展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 研究生期间发表的成果 | 第67页 |