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二维周期性V型金属等离子共振结构的研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-17页
    1.1 引言第9页
    1.2 表面等离子激元的基本概念与分类第9-11页
        1.2.1 传播表面等离子激元第10页
        1.2.2 局域表面等离子激元第10-11页
    1.3 金属表面等离子共振结构的发展历程第11-12页
    1.4 表面等离子共振结构在传感领域的应用第12-14页
    1.5 论文的主要研究内容第14-17页
第二章 表面等离子体共振结构场增强原理第17-29页
    2.1 引言第17页
    2.2 表面等离子激元的基本性质与激发方式第17-23页
        2.2.1 表面等离子激元的色散关系第17-19页
        2.2.2 表面等离子激元的四个特征长度第19-21页
        2.2.3 表面等离子激元的激发方式第21-23页
    2.3 表面等离子体共振增强原理第23-24页
    2.4 金属光栅的表面等离子激元共振特性第24-25页
    2.5 Fano共振的产生机理第25-27页
    2.6 本章小结第27-29页
第三章 金属V型光栅等离子共振结构的仿真设计第29-35页
    3.1 引言第29页
    3.2 数值计算方法第29-31页
        3.2.1 有限元分析法第29页
        3.2.2 数值模拟相关软件介绍第29-31页
    3.3 金属V型光栅的优化设计第31页
    3.4 单元结构和周期结构的场增强对比第31-32页
    3.5 光栅结构间距改变对场增强的影响第32-33页
    3.6 金属V型光栅结构的优势第33页
    3.7 本章小结第33-35页
第四章 金属V型光栅等离子共振结构的实验制备第35-47页
    4.1 引言第35页
    4.2 单晶硅的各向异性腐蚀原理和工艺第35-38页
        4.2.1 单晶硅的各向异性腐蚀原理第35-37页
        4.2.2 几种腐蚀溶液比较和选择第37-38页
        4.2.3 模板剥离工艺第38页
    4.3 金属V型光栅结构制备方案第38-40页
    4.4 硅基模板制备及镀膜流程第40-45页
        4.4.1 硅基底的预处理第40-41页
        4.4.2 掩膜制备第41-43页
        4.4.3 V型槽光栅结构制备第43-44页
        4.4.4 镀银膜第44-45页
        4.4.5 结果分析与总结第45页
    4.5 本章小结第45-47页
第五章 总结与展望第47-49页
致谢第49-51页
参考文献第51-57页
作者简介第57页

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