二维周期性V型金属等离子共振结构的研究
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 表面等离子激元的基本概念与分类 | 第9-11页 |
1.2.1 传播表面等离子激元 | 第10页 |
1.2.2 局域表面等离子激元 | 第10-11页 |
1.3 金属表面等离子共振结构的发展历程 | 第11-12页 |
1.4 表面等离子共振结构在传感领域的应用 | 第12-14页 |
1.5 论文的主要研究内容 | 第14-17页 |
第二章 表面等离子体共振结构场增强原理 | 第17-29页 |
2.1 引言 | 第17页 |
2.2 表面等离子激元的基本性质与激发方式 | 第17-23页 |
2.2.1 表面等离子激元的色散关系 | 第17-19页 |
2.2.2 表面等离子激元的四个特征长度 | 第19-21页 |
2.2.3 表面等离子激元的激发方式 | 第21-23页 |
2.3 表面等离子体共振增强原理 | 第23-24页 |
2.4 金属光栅的表面等离子激元共振特性 | 第24-25页 |
2.5 Fano共振的产生机理 | 第25-27页 |
2.6 本章小结 | 第27-29页 |
第三章 金属V型光栅等离子共振结构的仿真设计 | 第29-35页 |
3.1 引言 | 第29页 |
3.2 数值计算方法 | 第29-31页 |
3.2.1 有限元分析法 | 第29页 |
3.2.2 数值模拟相关软件介绍 | 第29-31页 |
3.3 金属V型光栅的优化设计 | 第31页 |
3.4 单元结构和周期结构的场增强对比 | 第31-32页 |
3.5 光栅结构间距改变对场增强的影响 | 第32-33页 |
3.6 金属V型光栅结构的优势 | 第33页 |
3.7 本章小结 | 第33-35页 |
第四章 金属V型光栅等离子共振结构的实验制备 | 第35-47页 |
4.1 引言 | 第35页 |
4.2 单晶硅的各向异性腐蚀原理和工艺 | 第35-38页 |
4.2.1 单晶硅的各向异性腐蚀原理 | 第35-37页 |
4.2.2 几种腐蚀溶液比较和选择 | 第37-38页 |
4.2.3 模板剥离工艺 | 第38页 |
4.3 金属V型光栅结构制备方案 | 第38-40页 |
4.4 硅基模板制备及镀膜流程 | 第40-45页 |
4.4.1 硅基底的预处理 | 第40-41页 |
4.4.2 掩膜制备 | 第41-43页 |
4.4.3 V型槽光栅结构制备 | 第43-44页 |
4.4.4 镀银膜 | 第44-45页 |
4.4.5 结果分析与总结 | 第45页 |
4.5 本章小结 | 第45-47页 |
第五章 总结与展望 | 第47-49页 |
致谢 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-57页 |
作者简介 | 第57页 |