高速SOI光调制器结构设计和工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 调制器的发展 | 第8-11页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 调制器的基本理论 | 第12-22页 |
| 2.1 调制器的工作原理 | 第12页 |
| 2.2 硅基波导的调制机理 | 第12-16页 |
| 2.3 调制器的分类 | 第16-20页 |
| 2.3.1 电光调制器的电学结构 | 第16-18页 |
| 2.3.2 电光调制器的光学结构 | 第18-20页 |
| 2.4 调制器的特征参数 | 第20-21页 |
| 2.5 小结 | 第21-22页 |
| 第三章 电光调制器结构设计 | 第22-49页 |
| 3.1 SOI光波导的模式传播 | 第22-29页 |
| 3.1.1 电磁场基本理论 | 第22-23页 |
| 3.1.2 平面光波导模式 | 第23-29页 |
| 3.2 多模干涉器的结构设计 | 第29-32页 |
| 3.2.1 多模干涉器的原理 | 第29-31页 |
| 3.2.2 多模干涉器的设计和制作 | 第31-32页 |
| 3.3 调制器的结构设计 | 第32-48页 |
| 3.3.1 调制器的电学结构设计 | 第33-38页 |
| 3.3.2 调制器的光学结构设计 | 第38-45页 |
| 3.3.3 系统级别设计 | 第45-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 调制器的工艺研究及表征 | 第49-62页 |
| 4.1 调制器的工艺制备 | 第49-53页 |
| 4.2 MZI调制器的结构表征 | 第53-56页 |
| 4.3 调制器及其波导性能测试分析 | 第56-61页 |
| 4.3.1 光栅波导的插入损耗 | 第56-58页 |
| 4.3.2 调制器S参数和3dB带宽 | 第58-59页 |
| 4.3.3 调制器的眼图 | 第59-61页 |
| 4.4 小结 | 第61-62页 |
| 第五章 狭缝脊型波导的结构设计 | 第62-67页 |
| 5.1 狭缝脊形波导的原理 | 第62-64页 |
| 5.2 狭缝宽度对场分布的影响 | 第64页 |
| 5.3 狭缝两侧波导宽度对场分布的影响 | 第64-65页 |
| 5.4 狭缝中刻蚀的硅波导厚度对场分布的影响 | 第65-66页 |
| 5.5 狭缝制作工艺分析 | 第66页 |
| 5.6 小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 论文总结 | 第67页 |
| 6.2 工作展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 附录 研究成果 | 第73-74页 |
