| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 电力电子技术及功率半导体器件 | 第11-16页 |
| 1.2 智能功率集成电路 | 第16-18页 |
| 1.3 电荷平衡耐压原理及RESURF技术 | 第18-19页 |
| 1.4 平面结终端技术和优化横向变掺杂理论 | 第19-24页 |
| 1.5 本论文的主要研究工作 | 第24-26页 |
| 第二章 新型多掺杂层电荷补偿的横向耐压结构的研究 | 第26-57页 |
| 2.1 研究背景 | 第26-27页 |
| 2.2 横向超结器件优化分析 | 第27-35页 |
| 2.2.1 衬底辅助耗尽效应分析 | 第28-31页 |
| 2.2.2 曲率效应分析 | 第31-33页 |
| 2.2.3 比导通电阻优化分析 | 第33-35页 |
| 2.3 新型多掺杂层电荷补偿的横向耐压结构 | 第35-48页 |
| 2.3.1 结构介绍及原理分析 | 第35-38页 |
| 2.3.2 结构参数优化设计 | 第38-39页 |
| 2.3.3 优化结果及分析 | 第39-48页 |
| 2.4 工艺分析及讨论 | 第48-56页 |
| 2.4.1 工艺参数对新型超结LDMOS结构性能的影响 | 第48-50页 |
| 2.4.2 超结耐压结构制造工艺流程 | 第50-56页 |
| 2.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第三章 两种集成工艺平台及测试平台简介 | 第57-69页 |
| 3.1 一种智能功率集成工艺平台 | 第57-60页 |
| 3.2 一种IGBT高低压集成工艺平台 | 第60-63页 |
| 3.3 工艺仿真及参数提取 | 第63-65页 |
| 3.4 稳态和瞬态特性测试方法 | 第65-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 具有自钳位功能的多级输出低压正电源研究 | 第69-101页 |
| 4.1 研究背景 | 第69-72页 |
| 4.2 具有自钳位功能的两级输出低压正电源 | 第72-95页 |
| 4.2.1 结构介绍及工作机理分析 | 第72-75页 |
| 4.2.2 稳态和瞬态仿真结果及分析 | 第75-83页 |
| 4.2.3 工艺实现难点及解决方法 | 第83-89页 |
| 4.2.4 流片测试结果及分析 | 第89-95页 |
| 4.3 低压正电源的应用分析 | 第95-100页 |
| 4.3.1 四输出低压电源结构的设计 | 第96-97页 |
| 4.3.2 低压正电源在半桥电路中的应用 | 第97-100页 |
| 4.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 第五章 一种与高压器件集成的低压负电源研究 | 第101-129页 |
| 5.1 研究背景 | 第101-104页 |
| 5.2 一种与高压IGBT器件集成的低压负电源 | 第104-115页 |
| 5.2.1 结构介绍及工作机理分析 | 第104-106页 |
| 5.2.2 IGBT元胞设计及仿真结果 | 第106-108页 |
| 5.2.3 低压负电源的仿真结果与分析 | 第108-115页 |
| 5.3 工艺分析及版图设计 | 第115-118页 |
| 5.4 测试结果及分析 | 第118-126页 |
| 5.5 所设计低压负电源的应用 | 第126-128页 |
| 5.6 本章小结 | 第128-129页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第129-131页 |
| 6.1 全文总结 | 第129-130页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-140页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第140页 |