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基于g-C3N4和WO3纳米结构复合材料的制备及可见光催化性能研究

摘要第2-4页
Abstract第4-5页
引言第8-10页
1 国内外相关领域研究进展第10-24页
    1.1 光催化技术研究进展第10-17页
        1.1.1 半导体光催化原理第10-11页
        1.1.2 半导体光催化技术存在的问题第11-12页
        1.1.3 提高光催化活性的途径第12-17页
    1.2 石墨相氮化碳(g-C_3N_4)在光催化领域的研究第17-20页
        1.2.1 g-C_3N_4光催化材料介绍第17-18页
        1.2.2 g-C_3N_4基复合光催化材料研究现状第18-20页
    1.3 三氧化钨(WO_3)在光催化领域的研究第20-22页
        1.3.1 WO_3光催化材料介绍第20-21页
        1.3.2 WO_3基复合光催化材料研究现状第21-22页
    1.4 选题依据、研究内容和意义第22-24页
        1.4.1 选题依据第22-23页
        1.4.2 研究内容第23页
        1.4.3 研究意义第23-24页
2 实验方法第24-32页
    2.1 实验药品和仪器第24-26页
        2.1.1 实验药品第24-25页
        2.1.2 实验仪器第25-26页
    2.2 光催化剂的制备及表征第26-28页
        2.2.1 g-C_3N_4的制备第26页
        2.2.2 WO_3的制备第26页
        2.2.3 WO_3@g-C_3N_4的制备第26-27页
        2.2.4 氧化石墨烯(GO)的制备第27页
        2.2.5 g-C_3N_4/RGO/WO_3的制备第27页
        2.2.6 光催化剂表征方法第27-28页
    2.3 光电化学测试第28-29页
    2.4 可见光催化降解实验第29-32页
        2.4.1 实验装置第29-30页
        2.4.2 目标物第30页
        2.4.3 实验方法第30-32页
3 WO_3@g-C_3N_4纳米壳核光催化剂可见光催化性能第32-48页
    3.1 引言第32页
    3.2 WO_3@g-C_3N_4的形貌分析第32-35页
    3.3 WO_3@g-C_3N_4的结构分析第35-38页
    3.4 WO_3@g-C_3N_4的光吸收分析第38-39页
    3.5 WO_3@g-C_3N_4的电荷分离剂迁移能力分析第39-41页
    3.6 光电催化降解RhB实验结果分析第41-45页
    3.7 光电催化降解RhB实验机理分析第45-46页
    3.8 本章小结第46-48页
4 g-C_3N_4/RGO/WO_3Z型光催化剂可见光催化性能第48-65页
    4.1 引言第48-49页
    4.2 g-C_3N_4/RGO/WO_3的形貌分析第49-50页
    4.3 g-C_3N_4/RGO/WO_3的表面成分分析第50-53页
    4.4 g-C_3N_4/RGO/WO_3的光吸收分析第53-54页
    4.5 g-C_3N_4/RGO/WO_3的电荷分离及迁移能力分析第54-55页
    4.6 光催化降解环丙沙星实验结果分析第55-60页
    4.7 光催化降解环丙沙星实验机理研究第60-64页
    4.8 本章小结第64-65页
结论第65-67页
参考文献第67-75页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第75-76页
致谢第76-78页

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