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STO表面外延生长TiCN薄膜工艺的研究

摘要第4-5页
abstract第5-6页
1 绪论第9-19页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 薄膜的生长第10-12页
        1.2.1 薄膜的生长方式第10-11页
        1.2.2 外延生长第11-12页
    1.3 薄膜与衬底第12-15页
        1.3.1 TiCN薄膜第12-14页
        1.3.2 STO衬底第14-15页
    1.4 磁控溅射技术第15-17页
    1.5 研究的主要内容和技术路线第17-19页
        1.5.1 研究目标第17页
        1.5.2 研究内容第17-18页
        1.5.3 技术路线第18-19页
2 试验设计与研究方法第19-29页
    2.1 试验设备第19-20页
    2.2 试验材料第20-21页
        2.2.1 衬底材料的选择第20页
        2.2.2 薄膜膜层的设计第20-21页
    2.3 TiCN薄膜的制备第21-23页
        2.3.1 衬底基片表面预处理第21页
        2.3.2 薄膜制备工艺流程第21-22页
        2.3.3 薄膜制备方案设计第22-23页
    2.4 薄膜结构表征第23-26页
        2.4.1 扫描电子显微镜(SEM)第23-24页
        2.4.2 X射线衍射仪(XRD)第24-25页
        2.4.3 能谱分析仪(EDS)第25页
        2.4.4 超景深三维显微镜第25-26页
    2.5 薄膜性能检测第26-27页
        2.5.1 薄膜润湿性第26-27页
        2.5.2 表面粗糙度第27页
        2.5.3 膜基结合力第27页
    2.6 薄膜退火处理第27-29页
3 磁控溅射工艺参数优选及结构表征第29-44页
    3.1 工艺参数影响第29-31页
        3.1.1 正交试验结果分析第29-30页
        3.1.2 极差值分析第30-31页
    3.2 工艺参数优选第31-33页
    3.3 TiCN薄膜结构表征第33-42页
        3.3.1 物相结构表征第33-35页
        3.3.2 薄膜微观形貌第35-39页
        3.3.3 薄膜EDS分析第39-41页
        3.3.4 表面三维形貌第41-42页
    3.4 本章小结第42-44页
4 薄膜的性能探究第44-49页
    4.1 表面粗糙度第44-45页
    4.2 薄膜润湿性第45-47页
        4.2.1 薄膜的疏水性第45-46页
        4.2.2 薄膜的疏油性第46-47页
    4.3 膜基结合力第47-48页
    4.4 本章小结第48-49页
5 退火工艺对薄膜的影响第49-58页
    5.1 退火温度对薄膜结构的影响第49-54页
        5.1.1 XRD分析第49-50页
        5.1.2 SEM组织观察第50-54页
    5.2 退火温度对薄膜性能的影响第54-55页
        5.2.1 薄膜润湿性第54-55页
        5.2.2 表面粗糙度第55页
        5.2.3 膜基结合力第55页
    5.3 实际应用测试第55-57页
    5.4 本章小结第57-58页
6 结论与展望第58-60页
    6.1 结论第58页
    6.2 创新点第58-59页
    6.3 展望第59-60页
参考文献第60-63页
在读期间发表的学术论文第63-64页
作者简历第64-65页
致谢第65-66页
中文详细摘要第66-67页

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