STO表面外延生长TiCN薄膜工艺的研究
摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-19页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 薄膜的生长 | 第10-12页 |
1.2.1 薄膜的生长方式 | 第10-11页 |
1.2.2 外延生长 | 第11-12页 |
1.3 薄膜与衬底 | 第12-15页 |
1.3.1 TiCN薄膜 | 第12-14页 |
1.3.2 STO衬底 | 第14-15页 |
1.4 磁控溅射技术 | 第15-17页 |
1.5 研究的主要内容和技术路线 | 第17-19页 |
1.5.1 研究目标 | 第17页 |
1.5.2 研究内容 | 第17-18页 |
1.5.3 技术路线 | 第18-19页 |
2 试验设计与研究方法 | 第19-29页 |
2.1 试验设备 | 第19-20页 |
2.2 试验材料 | 第20-21页 |
2.2.1 衬底材料的选择 | 第20页 |
2.2.2 薄膜膜层的设计 | 第20-21页 |
2.3 TiCN薄膜的制备 | 第21-23页 |
2.3.1 衬底基片表面预处理 | 第21页 |
2.3.2 薄膜制备工艺流程 | 第21-22页 |
2.3.3 薄膜制备方案设计 | 第22-23页 |
2.4 薄膜结构表征 | 第23-26页 |
2.4.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第23-24页 |
2.4.2 X射线衍射仪(XRD) | 第24-25页 |
2.4.3 能谱分析仪(EDS) | 第25页 |
2.4.4 超景深三维显微镜 | 第25-26页 |
2.5 薄膜性能检测 | 第26-27页 |
2.5.1 薄膜润湿性 | 第26-27页 |
2.5.2 表面粗糙度 | 第27页 |
2.5.3 膜基结合力 | 第27页 |
2.6 薄膜退火处理 | 第27-29页 |
3 磁控溅射工艺参数优选及结构表征 | 第29-44页 |
3.1 工艺参数影响 | 第29-31页 |
3.1.1 正交试验结果分析 | 第29-30页 |
3.1.2 极差值分析 | 第30-31页 |
3.2 工艺参数优选 | 第31-33页 |
3.3 TiCN薄膜结构表征 | 第33-42页 |
3.3.1 物相结构表征 | 第33-35页 |
3.3.2 薄膜微观形貌 | 第35-39页 |
3.3.3 薄膜EDS分析 | 第39-41页 |
3.3.4 表面三维形貌 | 第41-42页 |
3.4 本章小结 | 第42-44页 |
4 薄膜的性能探究 | 第44-49页 |
4.1 表面粗糙度 | 第44-45页 |
4.2 薄膜润湿性 | 第45-47页 |
4.2.1 薄膜的疏水性 | 第45-46页 |
4.2.2 薄膜的疏油性 | 第46-47页 |
4.3 膜基结合力 | 第47-48页 |
4.4 本章小结 | 第48-49页 |
5 退火工艺对薄膜的影响 | 第49-58页 |
5.1 退火温度对薄膜结构的影响 | 第49-54页 |
5.1.1 XRD分析 | 第49-50页 |
5.1.2 SEM组织观察 | 第50-54页 |
5.2 退火温度对薄膜性能的影响 | 第54-55页 |
5.2.1 薄膜润湿性 | 第54-55页 |
5.2.2 表面粗糙度 | 第55页 |
5.2.3 膜基结合力 | 第55页 |
5.3 实际应用测试 | 第55-57页 |
5.4 本章小结 | 第57-58页 |
6 结论与展望 | 第58-60页 |
6.1 结论 | 第58页 |
6.2 创新点 | 第58-59页 |
6.3 展望 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-63页 |
在读期间发表的学术论文 | 第63-64页 |
作者简历 | 第64-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
中文详细摘要 | 第66-67页 |