| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章: 绪论 | 第10-38页 |
| 1.1 硅碳氮(SiCN)薄膜的特性 | 第10-17页 |
| 1.1.1 硅碳氮(SiCN)的晶体结构 | 第10-14页 |
| 1.1.2 硅碳氮(SiCN)的机械性能 | 第14-15页 |
| 1.1.3 硅碳氮(SiCN)的电学性能 | 第15-16页 |
| 1.1.4 硅碳氮(SiCN)的光学性能 | 第16-17页 |
| 1.2 硅碳氮(SiCN)薄膜的制备方法 | 第17-26页 |
| 1.2.1 脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD) | 第17-19页 |
| 1.2.2 磁控溅射(Magnetron Sputtering) | 第19-22页 |
| 1.2.3 等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced CVD,PECVD) | 第22-23页 |
| 1.2.4 热丝化学气相沉积(Hot-wire CVD,HWCVD) | 第23-24页 |
| 1.2.5 远程等离子增强化学气相沉积(Remote Plasma Enhanced CVD,R-PECVD) | 第24-26页 |
| 1.3 SiCN的应用 | 第26-28页 |
| 1.3.1 SiCN/Si复合衬底上GaN薄膜的生长 | 第26-27页 |
| 1.3.2 SiCN基紫外探测器 | 第27-28页 |
| 1.4 研究内容与基本框架 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-38页 |
| 第二章: SiCN晶体薄膜的制备和表征方法 | 第38-47页 |
| 2.1 CVD沉积系统与薄膜制备方法 | 第38-41页 |
| 2.2 X射线衍射(X-ray diffraction) | 第41-43页 |
| 2.3 拉曼散射(Raman scattering) | 第43-44页 |
| 2.4 X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy) | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第三章: 碳化过的Si(111)衬底上SiCN晶体薄膜的生长 | 第47-60页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 SiCN晶体薄膜的制备和表征 | 第47-49页 |
| 3.3 SiCN晶体薄膜的组分结构 | 第49-54页 |
| 3.4 SiCN晶体薄膜的晶体结构 | 第54-56页 |
| 3.5 SiCN晶体薄膜的生长机理 | 第56-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第四章: SiCN缓冲层上3C-SiC的生长 | 第60-88页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 3C-SiC薄膜的制备与表征 | 第61-62页 |
| 4.3 SiCN缓冲层上3C-SiC的晶体质量 | 第62-64页 |
| 4.5 探讨SiCN缓冲层提高3C-SiC晶体质量的机制 | 第64-72页 |
| 4.6 SiCN缓冲层上3C-SiC薄膜的时间演化规律 | 第72-76页 |
| 4.7 SiC薄膜XPS深度分析 | 第76-84页 |
| 4.7.1 SiC(0.5h)样品的XPS深度分析 | 第76-78页 |
| 4.7.2 SiC(1.0h)样品的XPS深度分析 | 第78-79页 |
| 4.7.3 SiC(2.0h)样品的XPS深度分析 | 第79-81页 |
| 4.7.4 XPS深度分析数据拟合 | 第81-84页 |
| 4.8 本章小结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-88页 |
| 第五章: Si(111)衬底上SiCN晶体薄膜的生长 | 第88-102页 |
| 5.1 引言 | 第88页 |
| 5.2 SiCN晶体薄膜的制备和表征 | 第88-89页 |
| 5.3 SiCN晶体薄膜的组分结构 | 第89-96页 |
| 5.4 SiCN晶体薄膜的晶体结构 | 第96-97页 |
| 5.5 SiCN晶体薄膜的生长机理 | 第97-99页 |
| 5.6 本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第六章: 总结与展望 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第105-106页 |
