| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-33页 |
| 1.1 二维层状材料 | 第12-19页 |
| 1.1.1 二维层状材料的结构与性质 | 第12-16页 |
| 1.1.2 二维层状材料的应用与发展 | 第16-19页 |
| 1.2 二维材料异质结 | 第19-21页 |
| 1.3 二维材料的制备方法 | 第21-25页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第21-22页 |
| 1.3.2 溶液剥离法 | 第22-23页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第23-25页 |
| 1.4 二维-二维异质结的制备方法 | 第25-28页 |
| 1.4.1 对齐转移法 | 第25-26页 |
| 1.4.2 气相沉积法 | 第26-28页 |
| 1.5 二维材料阵列的制备方法 | 第28-30页 |
| 1.5.1 光刻法 | 第28-29页 |
| 1.5.2 晶种生长法 | 第29页 |
| 1.5.3 外延生长法 | 第29-30页 |
| 1.6 本课题的研究意义及研究内容 | 第30-33页 |
| 1.6.1 本课题的研究意义 | 第30-31页 |
| 1.6.2 本课题的研究内容 | 第31-33页 |
| 第2章 碘化镉(CdI_2)纳米片的制备 | 第33-42页 |
| 2.1 前言 | 第33-34页 |
| 2.2 试剂和仪器 | 第34页 |
| 2.3 合成 | 第34-35页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第35-41页 |
| 2.4.1 CdI_2晶体结构分析 | 第35页 |
| 2.4.2 CdI_2纳米片的光学显微镜(OM)和原子力显微镜(AFM)表征 | 第35-37页 |
| 2.4.3 CdI_2纳米片的扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第37页 |
| 2.4.4 CdI_2纳米片的透射电子显微镜(TEM)表征 | 第37-38页 |
| 2.4.5 CdI_2纳米片的X-射线衍射(XRD)的表征 | 第38页 |
| 2.4.6 CdI_2纳米片的拉曼光谱研究 | 第38-39页 |
| 2.4.7 CdI_2纳米片的荧光光谱研究 | 第39-40页 |
| 2.4.8 CdI_2纳米片在空气中稳定性的研究 | 第40-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 碘化镉-二维过渡金属硫化物范德华垂直异质结的制备 | 第42-57页 |
| 3.1 前言 | 第42-43页 |
| 3.2 试剂和仪器 | 第43页 |
| 3.3 合成 | 第43-46页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第46-56页 |
| 3.4.1 硫化钨(WS_2)纳米片的表征 | 第46-47页 |
| 3.4.2 硒化钨(WSe_2)纳米片的表征 | 第47-48页 |
| 3.4.3 硫化钼(MoS_2)纳米片的表征 | 第48-49页 |
| 3.4.4 碘化镉-硫化钨(CdI_2-WS_2)垂直异质结的表征 | 第49-51页 |
| 3.4.5 碘化镉-硒化钨(CdI_2-WSe_2)垂直异质结的表征 | 第51-52页 |
| 3.4.6 碘化镉-硫化钼(CdI_2-MoS_2)垂直异质结的表征 | 第52-54页 |
| 3.4.7 碘化镉-硫化钨(硒化钨,硫化钼)CdI_2-WS_2(WSe_2,MoS_2)范德华垂直异质结的取向分析 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 碘化镉-硫化钨(CdI_2-WS_2)异质结阵列的制备 | 第57-67页 |
| 4.1 前言 | 第57-58页 |
| 4.2 试剂和仪器 | 第58页 |
| 4.3 合成 | 第58-61页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第61-65页 |
| 4.4.1 硫化钨(WS_2)大单晶的表征 | 第61-63页 |
| 4.4.2 硫化钨大单晶阵列模板光学显微镜照片 | 第63页 |
| 4.4.3 碘化镉-硫化钨(CdI_2-WS_2)垂直异质结阵列的表征 | 第63-65页 |
| 4.5 小结 | 第65-67页 |
| 结论与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-84页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
