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高性能、低功耗二硫化钼晶体管研究

摘要第7-9页
Abstract第9-11页
第一章 绪论第12-48页
    1.1 后摩尔时代半导体器件第12-21页
        1.1.1 预言与预言终结第12-15页
        1.1.2 后摩尔时代的来临第15-21页
    1.2 二维过渡金属硫化物器件与后摩尔时代第21-31页
        1.2.1 材料合成的挑战第22-23页
        1.2.2 二维材料性能优势第23-25页
        1.2.3 MoS_2器件最新研究进展第25-31页
    1.3 铁电栅极与负电容晶体管第31-38页
        1.3.1 负电容器件原理第31-34页
        1.3.2 负电容场效应晶体管(NCFETs)的发展与应用第34-38页
    参考文献第38-48页
第二章 二维二硫化钼(MoS_2)晶体管电子传输第48-68页
    2.1 引言第48-49页
    2.2 载流子散射机制第49-57页
        2.2.1 本征声子散射第49-51页
        2.2.2 表面光学声子散射第51-53页
        2.2.3 库伦杂质散射第53-55页
        2.2.4 原子缺陷散射第55-57页
    2.3 电子陷阱与器件金属-绝缘体转变第57-58页
    2.4 载流子迁移率计算与微观分析第58-63页
    2.5 本章小结第63-64页
    参考文献第64-68页
第三章 高性能单层二硫化钼(MoS_2)场效应晶体管第68-85页
    3.1 引言第68页
    3.2 器件的制备与测试第68-73页
        3.2.1 high-K氧化物生长与表征第68-70页
        3.2.2 MPS-SAM界面钝化与MoS_2缺陷修复第70-72页
        3.2.3 器件制备与输运测量第72-73页
    3.3 数据分析与讨论第73-80页
        3.3.1 介电屏蔽引起的器件性能的提高第73-76页
        3.3.2 载流子屏蔽引起的器件性能的提高第76-77页
        3.3.3 声子主导输运的高性能单层硫化钼晶体管第77-80页
    3.4 本章小结第80-82页
    参考文献第82-85页
第四章 低功耗二维二硫化钼(MoS_2)负电容晶体管第85-107页
    4.1 引言第85-86页
    4.2 铁电HfZrO_x生长与表征第86-93页
        4.2.1 基于ALD的多层栅极材料生长第86-89页
        4.2.2 HZO铁电特性表征第89-92页
        4.2.3 瞬态负电容表征第92-93页
    4.3 MoS_2负电容晶体管制备与测试第93-94页
    4.4 器件性能优化第94-103页
        4.4.1 负电容引入的器件性能提升第94-97页
        4.4.2 匹配层厚度对器件性能的影响第97-99页
        4.4.3 铁电层厚度对器件性能的影响第99-102页
        4.4.4 MoS_2 NCFETs优势第102-103页
    4.5 本章小结第103-104页
    参考文献第104-107页
第五章 总结与展望第107-109页
    5.1 总结第107-108页
    5.2 展望第108-109页
研究生期间主要学术成果第109-112页
致谢第112-114页

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