| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 压电材料概述 | 第9页 |
| 1.2 高温压电陶瓷 | 第9-14页 |
| 1.2.1 高温压电陶瓷的研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.2 钨青铜型(TB)陶瓷晶体结构 | 第12页 |
| 1.2.3 PbNb_2O_6基压电陶瓷的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本文研究的主要内容 | 第14-17页 |
| 第2章 PbNb_2O_6基陶瓷的制备方法与性能表征 | 第17-25页 |
| 2.1 PbNb_2O_6基陶瓷样品的制备 | 第17-18页 |
| 2.1.1 实验所用原料 | 第17页 |
| 2.1.2 实验主要配方 | 第17-18页 |
| 2.2 样品制备工艺 | 第18-20页 |
| 2.3 热压烧结法制备PbNb_2O_6基陶瓷 | 第20-21页 |
| 2.4 结构及性能的表征 | 第21-25页 |
| 2.4.1 烧结性能的表征 | 第21-22页 |
| 2.4.2 晶体结构和显微结构的表征 | 第22-23页 |
| 2.4.3 电学性能的表征 | 第23-25页 |
| 第3章 退火对PBN-T压电陶瓷的结构及电学性能的影响 | 第25-35页 |
| 3.1 样品的制备 | 第25页 |
| 3.2 未退火处理的陶瓷试样 | 第25-27页 |
| 3.3 退火温度的影响 | 第27-29页 |
| 3.4 退火时间的影响 | 第29-30页 |
| 3.5 退火气氛的影响 | 第30-33页 |
| 3.6 本章小结 | 第33-35页 |
| 第4章 烧结气氛对PBN-T压电陶瓷的结构及电学性能的影响 | 第35-45页 |
| 4.1 样品的制备 | 第35页 |
| 4.2 晶体结构和显微结构 | 第35-39页 |
| 4.3 介电性能 | 第39-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 退火对PBN-M压电陶瓷的结构及电学性能的影响 | 第45-53页 |
| 5.1 试样的制备 | 第45页 |
| 5.2 未退火处理的陶瓷试样 | 第45-49页 |
| 5.3 退火气氛的影响 | 第49-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第6章 PBN-T陶瓷的热压烧结及其电学性能研究 | 第53-63页 |
| 6.1 试样的制备 | 第53页 |
| 6.2 热压设备及工艺介绍 | 第53-54页 |
| 6.3 PBNT陶瓷热压烧结 | 第54-60页 |
| 6.4 本章小结 | 第60-63页 |
| 第7章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 | 第73页 |
