| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 忆阻器及其应用简况 | 第10-14页 |
| 1.2.1 忆阻器的分类 | 第11-12页 |
| 1.2.2 忆阻器应用简况 | 第12-14页 |
| 1.3 硅基忆阻介质薄膜研究简况 | 第14-16页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜 | 第14-15页 |
| 1.3.2 非晶氮化硅薄膜 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第16-18页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第16-17页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜制备及性能表征方法 | 第18-28页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第18-23页 |
| 2.1.1 混气装置 | 第18-19页 |
| 2.1.2 磁控溅射沉积装置及工作原理 | 第19-20页 |
| 2.1.3 薄膜制备过程 | 第20-23页 |
| 2.2 薄膜性能表征方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 椭圆偏振测试 | 第23页 |
| 2.2.2 X射线衍射分析 | 第23-24页 |
| 2.2.3 傅里叶红外光谱法 | 第24页 |
| 2.2.4 激光拉曼光谱法 | 第24-25页 |
| 2.2.5 反射率及透射率测试 | 第25-26页 |
| 2.2.6 电阻率测试 | 第26-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 非晶氮化硅薄膜结构与性能研究 | 第28-35页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 氮含量对a-SiN_x薄膜结构的影响 | 第28-31页 |
| 3.2.1 FTIR结果及分析 | 第28-29页 |
| 3.2.2 Raman结果及分析 | 第29-31页 |
| 3.3 氮含量对a-SiN_x薄膜光学性能的影响 | 第31-34页 |
| 3.3.1 折射率及消光系数研究 | 第31-32页 |
| 3.3.2 透射率及吸收率研究 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 金属掺杂非晶氮化硅薄膜结构与光电性能研究 | 第35-45页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 银掺杂对a-SiN_x薄膜结构及光电性能影响 | 第35-41页 |
| 4.2.1 结构性能研究 | 第35-38页 |
| 4.2.2 光学性能研究 | 第38-39页 |
| 4.2.3 电学性能研究 | 第39-41页 |
| 4.3 铜掺杂对a-SiN_x薄膜结构及光电性能影响 | 第41-44页 |
| 4.3.1 XRD结果及分析 | 第41页 |
| 4.3.2 折射率及消光系数研究 | 第41-42页 |
| 4.3.3 透射率及吸收率研究 | 第42-43页 |
| 4.3.4 电学性能研究 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 非晶氮化硅忆阻器电学开关性能初步研究 | 第45-62页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 忆阻器工作原理 | 第45-46页 |
| 5.3 非晶氮化硅忆阻器设计与制备 | 第46-48页 |
| 5.3.1 结构及版图设计 | 第46-48页 |
| 5.3.2 器件制备 | 第48页 |
| 5.4 忆阻器电学开关特性 | 第48-61页 |
| 5.4.1 Ag/a-SiN_x/Al | 第49-54页 |
| 5.4.2 Ag/a-SiN_x/ITO | 第54-58页 |
| 5.4.3 Cu/a-SiN_x/ITO | 第58-61页 |
| 5.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 工作总结 | 第62-63页 |
| 6.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70-71页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第71页 |