| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 基于SIP技术T/R组件的研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第11-18页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 T/R组件设计方案 | 第20-25页 |
| 2.1 T/R组件技术指标 | 第20页 |
| 2.2 T/R组件方案设计 | 第20-22页 |
| 2.2.1 总体方案设计 | 第20-21页 |
| 2.2.2 总体电路实施方案 | 第21-22页 |
| 2.3 收发支路设计 | 第22-24页 |
| 2.3.1 接收支路设计 | 第22-23页 |
| 2.3.2 发射支路设计 | 第23-24页 |
| 2.4 多层复合介质基板 | 第24页 |
| 2.5 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 多层基板互连结构研究 | 第25-47页 |
| 3.1 多层基板传输线 | 第25-30页 |
| 3.1.1 多层基板微带线 | 第25-26页 |
| 3.1.2 多层基板类接地型共面波导结构 | 第26-30页 |
| 3.2 单层膜片加载式微带-微带互连结构 | 第30-39页 |
| 3.2.1 理论分析 | 第31-37页 |
| 3.2.1.1 类同轴传输区 | 第31-33页 |
| 3.2.1.2 单层膜片加载微带-微带互连区 | 第33-37页 |
| 3.2.2 仿真分析 | 第37-39页 |
| 3.3 三层膜片加载式微带-微带互连结构 | 第39-41页 |
| 3.4 多层基板微带-微带90度转角互连结构设计 | 第41-43页 |
| 3.5 双孔式微带-微带互连结构设计 | 第43-44页 |
| 3.6 三层复合介质基板双膜片加载式微带-微带互连结构设计 | 第44-45页 |
| 3.7 小结 | 第45-47页 |
| 第四章 多层基板键合互连仿真研究 | 第47-57页 |
| 4.1 微带线之间的键合互联 | 第47-49页 |
| 4.1.1 微带线之间金带键合建模分析 | 第47-48页 |
| 4.1.2 微带线之间金丝键合建模分析 | 第48-49页 |
| 4.2 微带线键合互连处距微带-微带互连孔中心最短距离分析 | 第49-51页 |
| 4.2.1 采用金带键合距互连孔最短距离分析 | 第49页 |
| 4.2.2 采用金丝键合距互连孔最短距离分析 | 第49-51页 |
| 4.3 芯片与微带线键合互连仿真分析 | 第51-56页 |
| 4.3.1 芯片金丝键合仿真分析 | 第51-53页 |
| 4.3.2 芯片与芯片之间最短距离分析 | 第53页 |
| 4.3.3 芯片距离微带线转角的最短距离分析 | 第53-54页 |
| 4.3.4 微带-微带互连结构距离芯片的最短距离分析 | 第54-56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 第五章 多层基板加工精度误差分析 | 第57-70页 |
| 5.1 单层、三层膜片加载微带-微带互连结构膜片半径加工误差分析 | 第57-60页 |
| 5.1.1 单层膜片互连结构 | 第57-59页 |
| 5.1.2 三层膜片互连结构 | 第59-60页 |
| 5.2 信号通孔位置偏移误差分析 | 第60-62页 |
| 5.3 导体带宽度误差分析 | 第62-63页 |
| 5.4 金属通孔加工误差分析 | 第63-66页 |
| 5.4.1 金属通孔加工半径误差 | 第63-65页 |
| 5.4.1.1 金属接地孔半径误差 | 第63-64页 |
| 5.4.1.2 信号通孔半径误差 | 第64-65页 |
| 5.4.2 接地屏蔽孔间距误差 | 第65-66页 |
| 5.5 复合介质基板误差分析 | 第66-69页 |
| 5.5.1 CLTE介质基板介电常数变化 | 第66-67页 |
| 5.5.2 基板和半固化片厚度变化 | 第67-69页 |
| 5.6 小结 | 第69-70页 |
| 第六章 T/R模块热仿真分析 | 第70-83页 |
| 6.1 T/R组件散热设计方案 | 第70-72页 |
| 6.1.1 功率放大器散热设计方案一 | 第70-71页 |
| 6.1.2 功率放大器散热设计方案二 | 第71-72页 |
| 6.2 仿真模型的建立 | 第72-75页 |
| 6.2.1 散热结构 | 第72-73页 |
| 6.2.2 模型中的材料特性及热源设置 | 第73-75页 |
| 6.3 热仿真结果及验证 | 第75-82页 |
| 6.3.1 PA芯片a方案一热仿真 | 第75-77页 |
| 6.3.1.1 四层复合介质基板PA芯片a方案一 | 第75-76页 |
| 6.3.1.2 三层复合介质基板PA芯片a方案一 | 第76-77页 |
| 6.3.2 T/R组件所有有源芯片方案一热仿真 | 第77-79页 |
| 6.3.3 PA芯片b方案一热仿真 | 第79-80页 |
| 6.3.4 PA芯片b方案二热仿真 | 第80-82页 |
| 6.4 小结 | 第82-83页 |
| 第七章 加工版图及测试分析 | 第83-98页 |
| 7.1 多层介质基板互连结构加工版图及测试 | 第83-91页 |
| 7.1.1 三层膜片加载式微带-微带互连结构加工版图 | 第83-85页 |
| 7.1.2 互连结构测试结果及分析 | 第85-90页 |
| 7.1.3 单层膜片加载互连及其他改进型互连结构版图设计 | 第90-91页 |
| 7.2 T/R组件总体版图设计及加工测试 | 第91-95页 |
| 7.2.1 总体版图一 | 第91-93页 |
| 7.2.2 总体版图二 | 第93-95页 |
| 7.3 接收支路及发射支路装配及测试 | 第95-97页 |
| 7.3.1 接收支路测试 | 第95-96页 |
| 7.3.2 发射支路测试 | 第96-97页 |
| 7.4 小结 | 第97-98页 |
| 第八章 全文工作总结与展望 | 第98-100页 |
| 8.1 本文的主要贡献 | 第98-99页 |
| 8.2 下一步工作展望 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-105页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第105-106页 |
