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稀磁半导体锐钛矿二氧化钛掺杂改性的第一性原理研究

致谢第5-6页
摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
第一章 绪论第12-20页
    1.1 二氧化钛光催化材料第12-16页
        1.1.1 二氧化钛的晶格结构和特性第12-13页
        1.1.2 二氧化钛的能带结构第13-15页
        1.1.3 二氧化钛的光催化反应机理第15-16页
    1.2 掺杂对二氧化钛性质的改进第16-18页
        1.2.1 掺杂金属离子第17页
        1.2.2 掺杂非金属离子第17-18页
        1.2.3 金属与非金属离子共掺杂第18页
    1.3 本论文的主要内容简介第18-19页
    1.4 本章小结第19-20页
第二章 密度泛函理论与VASP软件简介第20-29页
    2.1 密度泛函理论的基本概念第20-22页
        2.1.1 波函数与电子密度第20-21页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第21页
        2.1.3 Kohn-Sham方程第21-22页
    2.2 交换相关能量泛函第22-24页
        2.2.1 LDA与GGA第22-23页
        2.2.2 轨道泛函和非局域泛函第23-24页
        2.2.3 GW近似第24页
    2.3 含时密度泛函理论第24-25页
    2.4 DFT+U第25-26页
    2.5 其它的拓展形式第26-28页
        2.5.1 流密度泛函理论第26页
        2.5.2 相对论性密度泛函理论第26-27页
        2.5.3 密度泛函微扰理论第27-28页
    2.6 VASP软件包简介第28页
    2.7 本章结论第28-29页
第三章 二氧化钛掺杂改性的研究方法第29-37页
    3.1 二氧化钛掺锰的研究方法第29-31页
        3.1.1 模型的构建第29-30页
        3.1.2 晶体结构的优化第30页
        3.1.3 能带结构分析第30-31页
    3.2 二氧化钛掺氮的研究方法第31-33页
        3.2.1 模型的构建与优化第31-32页
        3.2.2 掺氮二氧化钛的能量分析第32页
        3.2.3 能带结构与态密度分析第32-33页
    3.3 金属非金属共掺杂的研究方法第33-36页
        3.3.1 模型的构建与优化第33-34页
        3.3.2 能带结构与态密度分析第34-36页
    3.4 本章结论第36-37页
第四章 二氧化钛(001)面掺杂改性研究第37-44页
    4.1 计算方法第37-38页
    4.2 晶格优化第38-39页
    4.3 形成能的分析第39-40页
    4.4 磁性的分析第40-41页
    4.5 态密度的分析第41-43页
    4.6 本章结论第43-44页
第五章 二氧化钛(101)面掺杂改性研究第44-49页
    5.1 计算方法第44-45页
    5.2 晶格优化第45-46页
    5.3 形成能的分析第46页
    5.4 电荷密度与差分电荷密度第46-48页
    5.5 本章结论第48-49页
第六章 结论第49-51页
    6.1 论文总结第49页
    6.2 研究展望第49-51页
参考文献第51-53页
作者简历及攻读硕士/博士学位期间取得的研究成果第53-55页
学位论文数据集第55页

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