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磁场对容性及感应耦合等离子体性质影响的数值模拟研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
目录第8-10页
1.绪论第10-18页
    1.1 等离子体概述第10页
    1.2 等离子的应用第10-11页
    1.3 常见的低温等离子体源第11-15页
    1.4 氧化物薄膜与 PECVD第15-16页
    1.5 仿真需求及商业软件第16-17页
    1.6 本文的研究内容及编排第17-18页
2. 物理模型和数值方法第18-33页
    2.1 引言第18-19页
    2.2 磁场第19-21页
    2.3 CCP 流体力学、蒙特卡洛混合模拟第21-29页
    2.4 ICP 放电模型第29-32页
    2.5 数值方法第32-33页
3.磁场对 CCP 氧气放电的影响第33-43页
    3.1 引言第33页
    3.2 基本模型第33-35页
    3.3 结果与讨论第35-42页
    3.4 本章小结第42-43页
4. 磁场对 ICP 氧气放电的影响第43-54页
    4.1 引言第43页
    4.2 基本模型第43-45页
    4.3 结果与讨论第45-53页
    4.4 本章小结第53-54页
5.结论与展望第54-56页
    5.1 本文主要结论第54-55页
    5.2 展望第55-56页
参考文献第56-60页
致谢第60页

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