磁场对容性及感应耦合等离子体性质影响的数值模拟研究
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第8-10页 |
1.绪论 | 第10-18页 |
1.1 等离子体概述 | 第10页 |
1.2 等离子的应用 | 第10-11页 |
1.3 常见的低温等离子体源 | 第11-15页 |
1.4 氧化物薄膜与 PECVD | 第15-16页 |
1.5 仿真需求及商业软件 | 第16-17页 |
1.6 本文的研究内容及编排 | 第17-18页 |
2. 物理模型和数值方法 | 第18-33页 |
2.1 引言 | 第18-19页 |
2.2 磁场 | 第19-21页 |
2.3 CCP 流体力学、蒙特卡洛混合模拟 | 第21-29页 |
2.4 ICP 放电模型 | 第29-32页 |
2.5 数值方法 | 第32-33页 |
3.磁场对 CCP 氧气放电的影响 | 第33-43页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 基本模型 | 第33-35页 |
3.3 结果与讨论 | 第35-42页 |
3.4 本章小结 | 第42-43页 |
4. 磁场对 ICP 氧气放电的影响 | 第43-54页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 基本模型 | 第43-45页 |
4.3 结果与讨论 | 第45-53页 |
4.4 本章小结 | 第53-54页 |
5.结论与展望 | 第54-56页 |
5.1 本文主要结论 | 第54-55页 |
5.2 展望 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-60页 |
致谢 | 第60页 |